申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-08-11

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115831731A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78

优先权：["20211124 US 63/282,777","20220526 US 17/825,798"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本文公开了用于提供具有改善的轮廓例如，最小至没有翘曲、弯曲、弓形和颈缩和或基本上垂直的侧壁的栅极堆叠件和或栅极结构例如，高k金属栅极的栅极制造技术，其可以在各种器件类型中实现。例如，本文公开的栅极制造技术提供具有应力处理胶层的栅极堆叠件，应力处理胶层具有小于约1.0吉帕斯卡GPa例如，约‑2.5GPa至约0.8GPa的残余应力。在一些实施例中，通过在功函层上方沉积胶层以及对胶层实施应力减小处理诸如气体环境中的离子注入工艺和或退火工艺来提供应力处理胶层。在一些实施例中，通过在功函层上方形成至少一个胶子层金属层对、实施毒化工艺以及在该对上方形成胶子层来提供应力处理胶层。本申请的实施例还涉及用于形成栅极堆叠件的方法、半导体器件及其形成方法。

主权项：1.一种用于形成栅极堆叠件的方法，所述方法包括：在沟道区域上沉积栅极介电层；在所述栅极介电层上沉积功函层；在所述功函层上形成应力处理胶层；以及在所述应力处理胶层上沉积金属填充层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 用于形成栅极堆叠件的方法、半导体器件及其形成方法

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