申请/专利权人:法国塞姆科智能科技公司
申请日:2021-07-12
公开(公告)日:2023-03-21
公开(公告)号:CN115836398A
主分类号:H01L31/0745
分类号:H01L31/0745
优先权:["20200713 FR 2007380","20201028 FR 2011025"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开
摘要:本公开涉及一种制造太阳能电池的方法,该方法依次包括:在半导体衬底50的至少一个表面之上形成隧道氧化物52;在所述隧道氧化物之上形成掺杂有第一导电类型掺杂物的层;在掺杂层上形成掩模56;和在包含第二导电类型掺杂物的气体气氛62中,使用激光对所述掺杂层的至少一个第一区域66进行掺杂。
主权项:1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法依次包括:在半导体衬底50的至少一个表面503之上形成隧道氧化物52;在所述隧道氧化物之上形成掺杂有第一导电类型掺杂物的层54;在掺杂层上形成掩模56;和在包含第二导电类型掺杂物的气体气氛62中,使用激光对所述掺杂层的至少一个第一区域542,66进行掺杂。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 法国塞姆科智能科技公司 太阳能电池的制造
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