申请/专利权人:上海芯物科技有限公司
申请日:2022-11-02
公开(公告)日:2023-03-21
公开(公告)号:CN115831723A
主分类号:H01L21/18
分类号:H01L21/18;H01L21/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开
摘要:本发明涉及一种硅片键合方法,包括以下步骤:提供两片硅片,并在所述硅片表面生长二氧化硅薄膜,其中至少一片硅片表面采用原子层沉积生长二氧化硅薄膜;湿法清洗所述硅片表面;利用清洗后的二氧化硅薄膜将两片所述硅片键合。由此可见,采用本发明的方法生长的二氧化硅薄膜厚度容易控制,且致密性和均匀性好,减少了键合工艺步骤,节约了成本,同时还具有优异的键合效果。
主权项:1.一种硅片键合方法,其特征在于:包括以下步骤:提供两片硅片,并在所述硅片表面生长二氧化硅薄膜,其中至少一片硅片表面采用原子层沉积生长二氧化硅薄膜;湿法清洗所述硅片表面;利用清洗后的二氧化硅薄膜将两片所述硅片键合。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海芯物科技有限公司 一种硅片键合方法
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