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【发明公布】一种硅片键合方法_上海芯物科技有限公司_202211362478.X 

申请/专利权人:上海芯物科技有限公司

申请日:2022-11-02

公开(公告)日:2023-03-21

公开(公告)号:CN115831723A

主分类号:H01L21/18

分类号:H01L21/18;H01L21/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要:本发明涉及一种硅片键合方法,包括以下步骤:提供两片硅片,并在所述硅片表面生长二氧化硅薄膜,其中至少一片硅片表面采用原子层沉积生长二氧化硅薄膜;湿法清洗所述硅片表面;利用清洗后的二氧化硅薄膜将两片所述硅片键合。由此可见,采用本发明的方法生长的二氧化硅薄膜厚度容易控制,且致密性和均匀性好,减少了键合工艺步骤,节约了成本,同时还具有优异的键合效果。

主权项:1.一种硅片键合方法,其特征在于:包括以下步骤:提供两片硅片,并在所述硅片表面生长二氧化硅薄膜,其中至少一片硅片表面采用原子层沉积生长二氧化硅薄膜;湿法清洗所述硅片表面;利用清洗后的二氧化硅薄膜将两片所述硅片键合。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海芯物科技有限公司 一种硅片键合方法

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