申请/专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司

申请日：2022-11-21

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115832080A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/101;H01L31/032;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本申请涉及一种基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法，其包括衬底、生长于所述衬底上的Ga2O3纳米线、沉积于所述Ga2O3纳米线表面上的Al2O3纳米层，且所述Al2O3纳米层与Ga2O3纳米线形成Ga2O3Al2O3纳米线，所有的所述Ga2O3Al2O3纳米线构成复合材料层；两个电极设于所述复合材料层上。本申请是利用CVD生长机制，在衬底上直接生出Ga2O3纳米线，无需刻蚀块体化合物半导体，从而提高了半导体与衬底的兼容性。本申请在Ga2O3纳米线表面上沉积了一层Al2O3纳米层，引入Al2O3纳米层作为包层，很大程度上降低了暗电流，同时一定程度上减少氧气吸附带走的电子，从而增大开关比，提高响应度。

主权项：1.一种基于氧化镓-氧化铝的日盲型紫外探测器，其特征在于，其包括：衬底1；生长于所述衬底1上的Ga2O3纳米线2；沉积于所述Ga2O3纳米线2表面上的Al2O3纳米层，且所述Al2O3纳米层与Ga2O3纳米线2形成Ga2O3Al2O3纳米线3，所有的所述Ga2O3Al2O3纳米线3构成复合材料层；两个电极4，其设于所述复合材料层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉邮电科学研究院有限公司 基于氧化镓-氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法

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