申请/专利权人:通富微电子股份有限公司
申请日:2022-12-06
公开(公告)日:2023-03-21
公开(公告)号:CN115831770A
主分类号:H01L21/50
分类号:H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开
摘要:本公开实施例提供一种扇出型芯片封装方法,包括:分别提供载板、多个硅片和多个芯片;分别在多个硅片上形成导电连接结构,以形成多个硅中介板;至少一个硅中介板上的导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同;将每个硅中介板进行切割,获得多个子硅中介板;根据预设的封装要求,从多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板,并将多个目标子硅中介板固定于载板;在多个目标子硅中介板背离载板的一侧形成第一塑封层;将多个芯片互连至多个目标子硅中介板上。该方法可以避免多个芯片互连至多个目标子硅中介板上时,目标子硅中介板产生翘曲或者破裂;多个子硅中介板重组后可以与多个芯片一次成型,提高了芯片封装的集成度。
主权项:1.一种扇出型芯片封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:分别提供载板、多个硅片和多个芯片;分别在所述多个硅片上形成导电连接结构,以形成多个硅中介板;其中,至少一个硅中介板上的所述导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同;将每个所述硅中介板进行切割,获得多个子硅中介板;根据预设的封装要求,从所述多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板,并将所述多个目标子硅中介板固定于所述载板;在所述多个目标子硅中介板背离所述载板的一侧形成第一塑封层;将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 通富微电子股份有限公司 扇出型芯片封装方法
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