申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

申请日：2022-12-07

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115816675A

主分类号：B28D5/04

分类号：B28D5/04;B28D5/00;B24B27/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本发明提供半导体晶棒硅片切割方法，涉及硅片切割工艺技术领域，利用砂浆液的液体阻尼及高比热容的特性，通过浸泡式切割的方法，以平衡硅片切割过程中硅片的变形温度和震动，使得硅片翘曲率降低，本发明通过利用砂浆液的液体阻尼及高比热容的特性，通过浸泡式切割的方法，以平衡硅片切割过程中硅片的变形温度和震动，使得硅片加工过程中产生的振动降低，并且硅片加工过程中的升温、降温缓慢，硅片的温度始终保持稳定的状态，进而硅片翘曲率降低。

主权项：1.一种半导体晶棒硅片切割方法，其特征在于：在晶棒的晶锭被钢线切割的过程中，被切割成硅片的部分被浸泡在砂浆液内，以利用砂浆液的液体阻尼及高比热容，平衡硅片切割过程中硅片的变形温度和震动，使得硅片翘曲率降低。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 半导体晶棒硅片切割方法

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