申请/专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司

申请日：2022-12-15

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115831720A

主分类号：H01L21/027

分类号：H01L21/027;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本申请公开一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括对基板的第二表面进行预处理，使第二表面呈中性或酸性。通过对基板靠近光刻胶层的第二表面进行预处理，使基板析出的氮元素形成的氨水或氨气发生中和反应，从而使第二表面呈中性或酸性。由于第二表面呈中性或酸性，从而不会中和掉后续光刻胶层在被曝光的区域产生的氢离子，进而在显影后显影液会与氢离子反应，去除位于被曝光区域的光刻胶膜层，从而使光刻胶膜层呈现特定的图案，而不会在基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣。

主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板包括相对设置的第一表面以及第二表面；对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性；在所述第二表面上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影处理，以形成光刻胶图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州粤芯半导体技术有限公司 半导体器件的制备方法以及半导体器件

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