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【发明授权】PUF单元阵列及其制造方法、以及用于设计PUF单元阵列的系统_台湾积体电路制造股份有限公司_201911051433.9 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2019-10-31

公开(公告)日:2023-03-21

公开(公告)号:CN111125986B

主分类号:G06F30/392

分类号:G06F30/392;H01L27/02

优先权:["20181031 US 62/753,281","20191023 US 16/661,971"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.03.21#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要:物理不可复制功能PUF单元阵列包括在第一方向上布置在第一列中的第一PUF单元和在第一方向上布置在第二列中的第二PUF单元。第一PUF单元包括在第一和第二方向上延伸的第一组导电结构。第二PUF单元包括在第一和第二方向上延伸的第二组导电结构。第一PUF单元包括在第二方向上延伸的第一导电结构和第二导电结构。第二PUF单元包括在第二方向上延伸的第三导电结构和第四导电结构。第一与第三导电结构或者第二与第四导电结构关于在第二方向上延伸的至少第一或第二PUF单元的中心线彼此对称。本发明的实施例涉及PUF单元阵列及其制造方法、以及用于设计PUF单元阵列的系统。

主权项:1.一种物理不可复制功能PUF单元阵列,包括:第一PUF单元,在第一方向上布置在第一列中,所述第一PUF单元包括:第一组导电结构,在所述第一方向上和不同于所述第一方向的第二方向上延伸,所述第一组导电结构位于第一金属层上,并且包括在至少所述第二方向上延伸的第一导电结构和在至少第二方向上延伸且在所述第一方向上与所述第一导电结构分离的第二导电结构;和第二PUF单元,在所述第一方向上布置在第二列中,所述第二PUF单元包括:第二组导电结构,在所述第一方向和所述第二方向上延伸,位于所述第一金属层上,并且包括在至少所述第二方向上延伸的第三导电结构和在至少所述第二方向上延伸且在第一方向上与所述第三导电结构分离的第四导电结构;其中,关于至少所述第二PUF单元或所述第一PUF单元的在所述第二方向上的中心线,至少所述第一导电结构与所述第三导电结构或者所述第二导电结构与所述第四导电结构彼此对称。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 PUF单元阵列及其制造方法、以及用于设计PUF单元阵列的系统

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