申请/专利权人：三菱电机株式会社

申请日：2017-03-24

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN110447091B

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权;2019.12.06#实质审查的生效;2019.11.12#公开

摘要：本发明提供即使基板材料为难蚀刻材料，也适于形成单段锥形槽的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具备金属掩模形成工序、干蚀刻工序、金属掩膜去除工序。金属掩模形成工序是在基板的背面形成具备开口的锥形金属掩模。所述开口使所述背面的一部分露出，且所述开口的缘部朝向所述背面具有正锥形。干蚀刻工序是通过从所述锥形金属掩模之上对所述开口的所述缘部及从所述开口露出的所述基板进行干蚀刻，从而在所述基板形成锥形槽。金属掩膜去除工序是将所述锥形金属掩模去除。

主权项：1.一种半导体装置的制造方法，其具备：金属掩模形成工序，在基板的背面之上形成具备开口的锥形金属掩模，所述开口使所述背面的特定部分露出，且所述开口的缘部朝向所述背面具有正锥形；干蚀刻工序，通过从所述锥形金属掩模之上对所述开口的所述缘部及从所述开口露出的所述基板进行干蚀刻，从而在所述基板形成锥形槽；以及金属掩模去除工序，将所述锥形金属掩模去除，在所述金属掩模形成工序中，通过使用包含催化剂毒物的化学镀液实施化学镀，从而形成所述特定部分的外缘的上方的部分以所述正锥形进行了镀层生长的化学镀膜，该化学镀膜作为所述锥形金属掩模，该化学镀是以与所述特定部分的外侧的区域的催化剂毒物浓度相比提高所述特定部分的所述外缘的上方的催化剂毒物浓度的方式实施的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置的制造方法及半导体装置

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