申请/专利权人：阿基里斯株式会社

申请日：2018-02-06

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN110582843B

主分类号：H01L21/673

分类号：H01L21/673;B65D85/30

优先权：["20170331 JP 2017-071320"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权;2020.01.10#实质审查的生效;2019.12.17#公开

摘要：本发明提供半导体晶圆容器。一种半导体晶圆容器，其沿上下方向重叠两个呈大致平面并且同一形状的外壳来收纳一片半导体晶圆，其中，所述外壳除了其主体以外还具有晶圆保持机构以及外壁形成机构，所述晶圆保持机构是用于实质上非接触地对晶圆的上下表面进行容纳且固定保持的机构，所述晶圆保持机构具有：倾斜面，其形成于从下侧以线接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的上表面；晶圆接触面，其形成于从上侧以面接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的下表面；以及浅底空隙部，其形成于外壳的上下两表面的各自的中央部，且能够容纳晶圆的上半部分或者下半部分，所述外壁形成机构具有垂下部，所述垂下部形成于外壳的下表面的外周缘，以便在沿上下方向重叠两个外壳来收纳半导体晶圆时形成在所容纳的半导体晶圆的外侧闭合的外壁。

主权项：1.一种半导体晶圆容器，其沿上下方向重叠两个呈平面并且同一形状的外壳来收纳一片半导体晶圆，其中，所述外壳除了其主体以外还具有晶圆保持机构以及外壁形成机构，所述晶圆保持机构是用于实质上非接触地对晶圆的上下表面进行容纳且固定保持的机构，所述晶圆保持机构具有：倾斜面，其形成于从下侧以线接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的上表面；晶圆接触面，其形成于从上侧以面接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的下表面；以及浅底空隙部，其形成于外壳的上下两表面的各自的中央部，且能够容纳晶圆的上半部分或者下半部分，所述外壁形成机构具有垂下部，所述垂下部形成于外壳的下表面的外周缘，以便在沿上下方向重叠两个外壳来收纳半导体晶圆时形成在所容纳的半导体晶圆的外侧闭合的外壁，所述外壳还具有定位机构，该定位机构将可彼此卡合的凸台和凸台孔以如下配置进行设置：位于外壳的表面上且在相对于穿过外壳的中心的线而呈线对称的位置，而且在沿上下方向重叠两个外壳时，一方的外壳的凸台能够卡合于另一方的外壳的凸台孔，在沿上下方向重叠两个外壳而且上下翻转该上方的外壳来进行重叠时，所述半导体晶圆容器具有相对于容纳于容器内的晶圆而呈面对称的外形，并且所述半导体晶圆容器将所述凸台和所述凸台孔以如下配置进行设置：分别位于外壳的上下表面侧，而且在上下翻转该上方的外壳来进行重叠时，一方的外壳的凸台能够卡合于另一方的外壳的凸台孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 阿基里斯株式会社 半导体晶圆容器

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