申请/专利权人:中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日:2020-08-14
公开(公告)日:2023-03-21
公开(公告)号:CN112098791B
主分类号:G01R31/26
分类号:G01R31/26
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.03.21#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2020.12.18#公开
摘要:本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域,提供了一种在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法,该在片校准模型包括:表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容;所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联,所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间,所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。本实施例提供的在片校准模型,可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度。
主权项:1.一种在片校准件模型,其特征在于,包括:表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容;所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联,所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间,所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端;所述原校准件模型为原负载校准件模型,所述原负载校准件模型包括负载校准件电感、负载校准件直流电阻;所述在片校准件模型为负载校准件模型时,所述负载校准件模型包括表征负载校准件串扰的电阻和表征负载校准件串扰的电容;所述表征负载校准件串扰的电阻的一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的一端以及所述负载校准件电感的一端,所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为负载校准件模型单端口的一端,所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端,所述负载校准件直流电阻的另一端连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端,以构成所述负载校准件模型单端口的另一端;或者,所述表征负载校准件串扰的电容的一端连接所述负载校准件电感的一端,以负载校准件模型单端口的一端,所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端,所述负载校准件直流电阻的另一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端和所述表征负载校准件串扰的电阻的一端,所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为所述负载校准件模型单端口的另一端;所述原校准件模型为原开路校准件模型,所述原开路校准件模型包括开路校准件电容;所述在片校准件模型为开路校准件模型时,所述开路校准件模型包括表征开路校准件串扰的电阻和表征开路校准件串扰的电容;所述表征开路校准件串扰的电阻的一端作为开路校准件模型单端口的一端,所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端,所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述开路校准件模型单端口的另一端;或者,所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端连接后作为开路校准件模型单端口的一端,所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征开路校准件串扰的电阻的一端,所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端作为所述开路校准件模型单端口的另一端;所述原校准件模型为原短路校准件模型,所述原短路校准件模型包括短路校准件电感;所述在片校准件模型为短路校准件模型时,所述短路校准件模型包括表征短路校准件串扰的电阻和表征短路校准件串扰的电容;所述表征短路校准件串扰的电阻的一端作为短路校准件模型单端口的一端,所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端,所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述短路校准件模型单端口的另一端;或者,所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端连接后作为短路校准件模型单端口的一端,所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征短路校准件串扰的电阻的一端,所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端作为所述短路校准件模型单端口的另一端。
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百度查询: 中国电子科技集团公司第十三研究所 在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法
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