申请/专利权人：睿惢思工业科技(苏州)有限公司

申请日：2021-04-12

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN113135011B

主分类号：B32B37/12

分类号：B32B37/12;B32B37/26;B32B38/04;B32B38/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权;2021.08.20#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要：本发明公开了一种半导体芯片高温承载治具的加工工艺，包括以下步骤：制作耐高温胶层：将聚酰亚胺膜的双面进行差异性涂胶；耐高温基板钻孔：取耐高温基板并对耐高温基板钻孔；胶体贴合：将所述聚酰亚胺膜与所述耐高温基板贴合，得到半成品治具，脱泡处理：将所述半成品治具执行脱泡处理操作，通过上述方式，本发明可以实现用户在治具表面放置产品，加工完成后，治具表面仍保持稳定的合适的粘性，既能防止产品在运输过程中掉落、移位，又能便于产品加工后机械手轻松移除，治具还可以重复使用高达50次以上，有效降低了重复利用的成本，同时治具表面如果产生赃物或者胶面破坏，依旧可以将胶带拆除后重新贴合使用。

主权项：1.一种半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：制作耐高温胶层：将聚酰亚胺膜的双面进行差异性涂胶；耐高温基板钻孔：取耐高温基板并对耐高温基板钻孔；胶体贴合：将所述聚酰亚胺膜与所述耐高温基板贴合，得到半成品治具；脱泡处理：将所述半成品治具执行脱泡处理操作；所述制作耐高温胶层的步骤进一步包括：贴附离型膜：将差异性涂胶完成的所述聚酰亚胺膜贴附离型膜；模切冲型：将贴附离型膜后的所述聚酰亚胺膜进行模切冲型，打出第一排气结构及第一定位结构，得到耐高温胶层；所述耐高温基板钻孔的步骤进一步包括：在所述耐高温基板上打出与所述第一排气结构及所述第一定位结构匹配的第二排气结构和第二定位结构；所述差异性涂胶的步骤进一步包括：将所述聚酰亚胺膜的一面涂胶为高粘层，另一面涂胶为低粘层；所述高粘层的厚度均大于所述聚酰亚胺膜及所述低粘层的厚度；所述高粘层的粘性大于所述低粘层的粘性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 睿惢思工业科技(苏州)有限公司 一种半导体芯片高温承载治具及其加工工艺

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