申请/专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司

申请日：2022-11-17

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115513135B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权;2023.01.10#实质审查的生效;2022.12.23#公开

摘要：本申请涉及半导体工艺方法和半导体蚀刻设备，该半导体工艺方法包括在第一金属层的上表面沉积金属间介质层，基于金属间介质层，通过光刻与刻蚀工艺形成目标沟槽和目标通孔，对光刻与刻蚀工艺对应的刻蚀残留物进行清洗，并在清洗后的目标沟槽、目标通孔和金属间介质层的上表面沉积金属阻挡层和金属种籽层，在金属种籽层的上表面电镀第二金属层，以对目标沟槽和目标通孔进行金属填充，对第二金属层进行热处理，对热处理后的第二金属层进行化学机械研磨处理，并在化学机械研磨处理后的第二金属层的上表面沉积介质保护层，通过在对第二金属层进行化学机械研磨处理之前进行热处理，能够大大提升了整个晶粒的生长效率。

主权项：1.一种半导体工艺方法，其特征在于，应用于完成前道器件工艺的半导体芯片上，所述半导体芯片包括设置有第一金属层的半导体衬底，所述半导体工艺方法包括：在所述第一金属层的上表面沉积金属间介质层；基于所述金属间介质层，通过光刻与刻蚀工艺形成目标沟槽和目标通孔；对所述光刻与刻蚀工艺对应的刻蚀残留物进行清洗，并在清洗后的目标沟槽、目标通孔和所述金属间介质层的上表面沉积金属阻挡层和金属种籽层；在所述金属种籽层的上表面电镀第二金属层，以对所述目标沟槽和目标通孔进行金属填充；对所述第二金属层进行热处理以减弱晶内缺陷对自由电子的散射作用，所述热处理的温度范围为380℃~500℃；对热处理后的第二金属层进行化学机械研磨处理，并在化学机械研磨处理后的第二金属层的上表面沉积介质保护层。

全文数据：

权利要求：

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