申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-01-09

公开（公告）日：2023-05-09

公开（公告）号：CN116093020A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.26#实质审查的生效;2023.05.09#公开

摘要：本发明提供一种避免后段工艺中金属互连层形成孔洞的方法，提供衬底，衬底上形成有半导体结构，之后形成覆盖半导体结构的第一层间介质层，之后在第一层间介质层上形成与半导体结构电接触的第一金属互连层结构；形成覆盖第一层间介质层的叠层，刻蚀叠层形成至第一金属互连层结构裸露，用以形成互连孔槽；在互连孔槽上形成金属种子层，金属种子层上附着有污染物；利用紫外线光照射污染物，用于破坏污染物的分子键使得污染物脱离金属种子层的表面，之后去除污染物；通过淀积、研磨在金属种子层表面形成金属层。本发明通过紫外线光照射所述污染物，用于破坏所述污染物的分子键使得所述污染物脱离所述金属种子层的表面，从而改善金属互连层孔洞的产生。

主权项：1.一种避免后段工艺中金属互连层形成孔洞的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有半导体结构，之后形成覆盖所述半导体结构的第一层间介质层，之后在所述第一层间介质层上形成与所述半导体结构电接触的第一金属互连层结构；步骤二、形成覆盖所述第一层间介质层的叠层，刻蚀所述叠层形成至所述第一金属互连层结构裸露，用以形成互连孔槽；步骤三、在所述互连孔槽上形成金属种子层，所述金属种子层上附着有污染物；步骤四、利用紫外线光照射所述污染物，用于破坏所述污染物的分子键使得所述污染物脱离所述金属种子层的表面，之后去除所述污染物；步骤五、通过淀积、研磨在所述金属种子层表面形成金属层。

全文数据：

权利要求：

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