申请/专利权人：上海芯刻微材料技术有限责任公司

申请日：2021-11-05

公开（公告）日：2023-05-09

公开（公告）号：CN116088269A

主分类号：G03F7/004

分类号：G03F7/004;C08F220/18;C08F232/08;C08F220/28;C08G67/04

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.09#公开

摘要：本发明公开了一种193nm湿法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用。具体公开了一种光刻胶，其包括如下原料：如式I所示的添加剂、如式L所示的树脂、光致产酸剂和溶剂，所述添加剂的重均分子量为1000～3000；所述添加剂的重均分子量数均分子量比值为1～5。本发明的光刻胶可改善在浸没式光刻曝光过程中材料在水中被浸出的问题，从而可以形成具有优异敏感性和高分辨率的光刻胶膜微图案。

主权项：1.一种光刻胶，其包括如下原料：如式I所示的添加剂、如式L所示的树脂、光致产酸剂和溶剂；所述添加剂的重均分子量为1000～3000；所述添加剂的重均分子量数均分子量比值为1～5； 所述如式I所示的添加剂为：

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海芯刻微材料技术有限责任公司 一种193nm湿法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用

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