申请/专利权人：长沙安牧泉智能科技有限公司

申请日：2023-02-10

公开（公告）日：2023-05-16

公开（公告）号：CN116130364A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L23/538

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.02#实质审查的生效;2023.05.16#公开

摘要：本发明提供了可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，涉及电子封装领域，在转接板本体上设置中部盲孔及侧部盲孔，各盲孔内填充导电材料，在转接板本体的上表面设置有第一介电层，蚀刻第一介电层，并在各盲孔的周围形成第一介电支撑；在第一介电支撑的间隙内设置第一导电层，并在中部盲孔处形成中部焊盘；在第一介电层和第一导电层的上方设置有第二介电层，蚀刻第二介电层形成第二介电支撑和第三介电支撑，第二介电支撑覆盖于中部焊盘；在第二介电支撑和或第三介电支撑的间隙内设置第二导电层；在第二介电层和第二导电层上方设置有第三介电层，对第三介电层进行蚀刻，使得第二导电层裸露，在第二导电层裸露处设置第三导电层形成侧部焊盘。

主权项：1.一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，其特征在于，包括：S1.在转接板本体1的上表面开设有盲孔，所述盲孔包括多个位于转接板本体1中央的中部盲孔及多个位于中部盲孔周围的侧部盲孔，S2.在各盲孔内填充导电材料2至与转接板本体1的上表面齐平；S3.在转接板本体1的上表面设置有第一介电层3，蚀刻第一介电层3，并在各盲孔的周围形成第一介电支撑；S4.在第一介电支撑的间隙内设置第一导电层4，第一导电层4与第一介电支撑齐平，第一导电层4在中部盲孔处形成中部焊盘；S5.在第一介电层3和第一导电层4的上方设置有第二介电层5，并对第二介电层5进行蚀刻形成第二介电支撑和第三介电支撑，所述第二介电支撑覆盖于中部焊盘，第三介电支撑与侧部盲孔周围的第一介电支撑共线；S6.在第二介电支撑和或第三介电支撑的间隙内设置第二导电层6，第二导电层6与第二介电支撑齐平；S7.在第二介电层5和第二导电层6上方设置有第三介电层，对第三介电层进行蚀刻，使得侧部盲孔上方的第二导电层6裸露，在第二导电层6裸露处设置第三导电层形成侧部焊盘；S8.清除第三介电层和第二介电层5位于中部焊盘上方的部分，并在清除的位置粘合有临时载板；S9.翻转转接板本体1，并对转接板本体1的下表面进行研磨直至导电材料2裸露，重复步骤S3-S7后，将临时载板拆除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长沙安牧泉智能科技有限公司 一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺

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