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【发明公布】一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法_贵州大学_202310137029.3 

申请/专利权人:贵州大学

申请日:2023-02-20

公开(公告)日:2023-05-16

公开(公告)号:CN116124587A

主分类号:G01N3/08

分类号:G01N3/08;G01N1/28;G16C60/00;G06F30/20;G06F113/26

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.02#实质审查的生效;2023.05.16#公开

摘要:本发明公开一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法,制备四组非晶态高熵合金模型;将四组非晶态高熵合金模型分别弛豫200ps;分别挖取不同半径的孔洞,得到含不同孔洞大小的四组非晶材料模型;将4种含孔非晶模型在NVT条件下沿y轴进行拉伸,拉伸速率为1×109s‑1,温度控制在300K,得到应力应变曲线,根据应力应变曲线确定强度与塑性最优的含孔非晶模型后续模拟加工;根据强度与塑性最优的含孔非晶模型制备得到晶体层厚度不同的四组复合材料模型分别进行拉伸得到拉伸所得的应力应变曲线;解决了实验上很难从原子尺度观察到晶态和非晶态复合材料不同晶体层厚度下剪切过程中微观结构的变形机制等技术问题。

主权项:1.一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法,其特征在于:所述方法包括:步骤1、制备四组非晶态高熵合金模型;步骤2、将四组非晶态高熵合金模型分别弛豫200ps;然后在四组模型内部分别挖取不同半径的孔洞,孔洞的半径分别设置为CoNiCrFeMn晶格常数的倍数:0nm、以及得到含不同孔洞大小的四组非晶材料模型;步骤3、将4种含孔非晶模型在NVT条件下沿y轴进行拉伸,拉伸速率为1×109s-1,温度控制在300K,并且xyz三个方向均设置为周期性边界条件,得到应力应变曲线,根据应力应变曲线确定强度与塑性最优的含孔非晶模型后续模拟加工;步骤4、根据强度与塑性最合适的含孔非晶模型制备含孔的晶体和非晶复合材料模型;分别得到晶体层厚度为和的四组复合材料模型;步骤5、对四组复合材料模型分别进行拉伸,拉伸过程中在xyz方向施加周期性边界条件,拉伸速率为1×109s-1,拉伸方向为y轴;得到拉伸所得的应力应变曲线。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 贵州大学 一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法

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