申请/专利权人:成都森未科技有限公司
申请日:2020-03-24
公开(公告)日:2023-05-16
公开(公告)号:CN111354788B
主分类号:H01L29/739
分类号:H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.05.16#授权;2020.07.24#实质审查的生效;2020.06.30#公开
摘要:本申请涉及半导体制造领域,特别是一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法,包括衬底,衬底上设置有体区,体区上设置有第二导电层,第二导电层中设置有第一绝缘介质层,第一绝缘介质层下方设置有第二绝缘介质层,第二绝缘介质层呈U形,第二绝缘介质层的内侧设置有第三绝缘介质层,第三绝缘介质层呈U形,第三绝缘介质层的内侧设置有第四绝缘介质层,第二绝缘介质层内部的第三绝缘介质层上方设置有第一导电层,第二绝缘介质层穿过体区并位于衬底内,第一导电层的深度不小于体区的深度。本申请的沟槽内部第一导电层底部与沟槽底部之间还填充又第三绝缘介质层,且第三绝缘介质层的纵向厚度可根据设计调整。沟槽内部栅电极的深度与沟槽深度可以不一样。
主权项:1.一种深沟槽绝缘栅极器件,其特征在于:包括衬底(101),所述衬底(101)上设置有体区(201),所述体区(201)上设置有第二导电层(501),所述第二导电层(501)中设置有第一绝缘介质层(301),第一绝缘介质层(301)下方设置有第二绝缘介质层(302),第二绝缘介质层(302)呈U形,第二绝缘介质层(302)的内侧设置有第三绝缘介质层(303),第三绝缘介质层(303)呈U形,第三绝缘介质层(303)的内侧设置有第四绝缘介质层(304),所述第二绝缘介质层(302)内部的第三绝缘介质层(303)上方设置有第一导电层(401),第二绝缘介质层(302)穿过体区(201)并位于衬底(101)内,所述第一导电层(401)的深度不小于体区(201)的深度;体区(201)和第二导电层(501)之间设置有源区(102),且所述源区(102)位于第一绝缘介质层(301)的下方。
全文数据:
权利要求:
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