申请/专利权人：豪威科技股份有限公司

申请日：2021-08-10

公开（公告）日：2023-05-16

公开（公告）号：CN114078894B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20200813 US 16/993,018"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.16#授权;2023.03.21#实质审查的生效;2022.02.22#公开

摘要：本申请案涉及用于CMOS图像传感器的单元深沟槽隔离金字塔结构。一种像素单元包含光电二极管，所述光电二极管经安置成接近于半导体层的前侧以响应于引导穿过所述半导体层的背侧的入射光而产生图像电荷。单元深沟槽隔离CDTI结构沿着所述入射光到所述光电二极管的光学路径安置且接近于所述半导体层的所述背侧。所述CDTI结构包含布置于所述半导体层中的多个部分。所述多个部分中的每一者从所述背侧朝向所述半导体层的所述前侧延伸相应的深度。所述多个部分中的每一者的所述相应深度不同于所述多个部分中的相邻者的相应深度。所述多个部分中的每一者在所述半导体层中与所述多个部分中的所述相邻者横向分离且间隔开。

主权项：1.一种像素单元，其包括：光电二极管，其经安置于半导体层的像素单元区域中且接近于所述半导体层的前侧以响应于引导穿过所述半导体层的背侧到所述光电二极管的入射光而产生图像电荷；及单元深沟槽隔离CDTI结构，其沿着所述入射光到所述光电二极管的光学路径被安置于所述半导体层的所述像素单元区域中且接近于所述半导体层的所述背侧，其中所述单元深沟槽隔离CDTI结构包括：多个部分，其经布置于所述半导体层中，其中所述多个部分中的每一者从所述背侧朝向所述半导体层的所述前侧延伸相应的深度，其中所述多个部分中的每一者的所述相应深度不同于所述多个部分中的相邻者的相应深度，且其中所述多个部分中的所述每一者在所述半导体层中与所述多个部分中的所述相邻者横向分离且间隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 豪威科技股份有限公司 用于CMOS图像传感器的单元深沟槽隔离金字塔结构

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