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【发明公布】隔离改进的2D1R工艺方法及2D1R阵列_昕原半导体(上海)有限公司_202210108675.2 

申请/专利权人:昕原半导体(上海)有限公司

申请日:2022-01-28

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN116153865A

主分类号:H01L21/84

分类号:H01L21/84;H10B63/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要:本发明提供一种隔离改进的2D1R工艺方法及2D1R阵列,在SOI硅片上进行工艺处理以形成深隔离槽,并使深隔离槽与SOI硅片上的氧化层接触;再基于深隔离槽对所述SOI硅片进行离子注入以形成n阱区域与p阱区域;在n阱区域与p阱区域上进行工艺处理以形成浅隔离槽,并在浅隔离槽的两侧进行离子注入以形成n+有源区和p+有源区;通过接触孔将n+有源区、p+有源区与后段器件相连接,从而通过采用SOI技术,可以在降低隔离槽深度的条件下实现更好的阱与阱的隔离效果,同时也可以形成n阱与p阱交替存在的二极管阵列,改善了工艺窗口,实现更小单元尺寸的2D1R阵列。

主权项:1.一种隔离改进的2D1R工艺方法,其特征在于,包括:在SOI硅片上进行工艺处理以形成深隔离槽,并使所述深隔离槽与所述SOI硅片上的氧化层接触;基于所述深隔离槽对所述SOI硅片进行离子注入以形成n阱区域与p阱区域;在所述n阱区域与p阱区域上进行工艺处理以形成浅隔离槽,并在所述浅隔离槽的两侧进行离子注入以形成n+有源区和p+有源区;通过接触孔将所述n+有源区、所述p+有源区与后段器件相连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 昕原半导体(上海)有限公司 隔离改进的2D1R工艺方法及2D1R阵列

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