申请/专利权人:中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日:2022-12-30
公开(公告)日:2023-05-23
公开(公告)号:CN116148272A
主分类号:G01N21/95
分类号:G01N21/95;G01N21/01
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开
摘要:本申请实施例涉及一种芯片失效分析方法,包括:对芯片的背面进行开封;在芯片的背面做失效定位并在定位到的失效位置处形成背面标记;对芯片的正面进行开封;利用光透过开封后的芯片,使背面标记在芯片的正面显现,并在芯片的正面形成与背面标记位置重合的正面标记;利用正面标记对芯片的正面进行物理失效分析。本申请实施例提供的芯片失效分析方法,失效定位结果准确,可以实现高精度分析。
主权项:1.一种芯片失效分析方法,其特征在于,所述方法包括:对芯片的背面进行开封;在所述芯片的背面做失效定位并在定位到的失效位置处形成背面标记;对所述芯片的正面进行开封;利用光透过开封后的所述芯片,使所述背面标记在所述芯片的正面显现,并在所述芯片的正面形成与所述背面标记位置重合的正面标记;利用所述正面标记对芯片的正面进行物理失效分析。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司 芯片失效分析方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。