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【发明公布】集成芯片结构和形成集成芯片结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202310012349.6 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2023-01-05

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN116153891A

主分类号:H01L23/485

分类号:H01L23/485;H01L21/60

优先权:["20220128 US 63/304,114","20220523 US 17/750,706"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要:本发明涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括设置在衬底上方的介电结构内的一个或多个互连件。接合焊盘具有沿着所述介电结构的顶表面布置的顶表面。其中,如在截面图中所观察的,接合焊盘的顶表面包括彼此横向分隔开非零距离的多个离散的顶表面段,该非零距离在接合焊盘的内侧壁之间延伸。介电结构直接设置在接合焊盘的内侧壁之间。本发明的实施例还提供了形成集成芯片结构的方法。

主权项:1.一种集成芯片结构,包括:一个或多个互连件,设置在衬底上方的介电结构内;接合焊盘,具有沿着所述介电结构的顶表面布置的顶表面,其中,如在截面图中所观察的,所述接合焊盘的所述顶表面包括彼此横向分隔开一个或多个非零距离的多个离散的顶表面段,所述一个或多个非零距离在所述接合焊盘的内侧壁之间延伸;以及其中,所述介电结构直接设置在所述接合焊盘的所述内侧壁之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片结构和形成集成芯片结构的方法

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