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【发明公布】基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法_上海科技大学_202310159344.6 

申请/专利权人:上海科技大学

申请日:2023-02-23

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN116153968A

主分类号:H01L29/06

分类号:H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要:本发明公开了一种基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法。所述混合栅极结构器件由下至上包括:一层底部的硅衬底;一层中间带有空腔的埋氧层;位于埋氧层上表面的沟道层;其中,沟道两侧分别为漏极与源极;位于沟道层之上的π‑GAA‑π混合栅极结构,由中间的GAA栅极与两侧的π栅极组成;所述GAA栅极通过淀积工艺填满埋氧层中的空腔,以实现沟道全包裹的状态,所述GAA栅极的两侧为完整的埋氧层和非全包裹的π栅极。本发明提供的π‑GAA‑π混合栅极结构可以实现在器件开启时提供良好的背栅可调的特性,同时在器件关断时阻断背栅带来的负面影响,克服了传统器件背栅带来关态特性恶化等不利因素。

主权项:1.一种混合栅极结构器件,其特征在于,所述混合栅极结构器件由下至上包括:一层底部的硅衬底;一层中间带有空腔的埋氧层;位于埋氧层上表面的沟道层;其中,沟道两侧分别为漏极与源极;位于沟道层之上的π-GAA-π混合栅极结构,由中间的GAA栅极与两侧的π栅极组成;所述GAA栅极通过淀积工艺填满埋氧层中的空腔,以实现沟道全包裹的状态,所述GAA栅极的两侧为完整的埋氧层和非全包裹的π栅极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海科技大学 基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法

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