申请/专利权人:上海科技大学
申请日:2023-02-23
公开(公告)日:2023-05-23
公开(公告)号:CN116153968A
主分类号:H01L29/06
分类号:H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开
摘要:本发明公开了一种基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法。所述混合栅极结构器件由下至上包括:一层底部的硅衬底;一层中间带有空腔的埋氧层;位于埋氧层上表面的沟道层;其中,沟道两侧分别为漏极与源极;位于沟道层之上的π‑GAA‑π混合栅极结构,由中间的GAA栅极与两侧的π栅极组成;所述GAA栅极通过淀积工艺填满埋氧层中的空腔,以实现沟道全包裹的状态,所述GAA栅极的两侧为完整的埋氧层和非全包裹的π栅极。本发明提供的π‑GAA‑π混合栅极结构可以实现在器件开启时提供良好的背栅可调的特性,同时在器件关断时阻断背栅带来的负面影响,克服了传统器件背栅带来关态特性恶化等不利因素。
主权项:1.一种混合栅极结构器件,其特征在于,所述混合栅极结构器件由下至上包括:一层底部的硅衬底;一层中间带有空腔的埋氧层;位于埋氧层上表面的沟道层;其中,沟道两侧分别为漏极与源极;位于沟道层之上的π-GAA-π混合栅极结构,由中间的GAA栅极与两侧的π栅极组成;所述GAA栅极通过淀积工艺填满埋氧层中的空腔,以实现沟道全包裹的状态,所述GAA栅极的两侧为完整的埋氧层和非全包裹的π栅极。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海科技大学 基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。