申请/专利权人：珠海镓未来科技有限公司

申请日：2023-03-03

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116153981A

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.23#公开

摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了用于功率开关器件的场板结构及制备方法、功率开关器件。本发明的半导体功率开关器件结构包括源极、栅极及漏极，栅极位于所述源极及所述漏极之间，栅极上方设置至少一个场板，所述场板具有支撑于所述栅极上方的支撑部分和从所述支撑部分向所述漏极的方向延伸的延伸部分，所述延伸部分由多个间隔设置的延伸部构成，每相邻两个延伸部之间形成一空隙。本发明通过对场板结构进行改进，大幅度减小了场板的总覆盖面积，且在器件关态截止工作状态下，场板中相邻的延伸结构生的耗尽区会相互重叠而夹断沟道并承受关态电压，从而能够有效减少场板引入的寄生电容。

主权项：1.一种用于功率开关器件的场板结构，包括源极、栅极及漏极，所述栅极位于所述源极及所述漏极之间，所述栅极上方设置至少一个场板，所述场板具有支撑于所述栅极上方的支撑部分和从所述支撑部分向所述漏极的方向延伸的延伸部分，其特征在于，所述延伸部分由多个间隔设置的延伸部构成，每相邻两个延伸部之间形成一空隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海镓未来科技有限公司 用于功率开关器件的场板结构及制备方法、功率开关器件

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