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【发明公布】具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路_微软技术许可有限责任公司_202180054859.9 

申请/专利权人:微软技术许可有限责任公司

申请日:2021-06-01

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN116158004A

主分类号:H03K19/195

分类号:H03K19/195

优先权:["20200908 US 17/013,941"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要:提供了与具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路相关的系统和方法。一种系统700包括被配置为在低温环境300K中操作的多个器件760,其中与多个器件760相关联的阈值电压的第一分布具有第一值,该第一值指示阈值电压的扩展度测量。该系统700还包括控制逻辑712,714,其被耦合到多个器件760中的每个器件,该控制逻辑被配置为修改714out与多个器件760中的每个器件相关联的阈值电压,使得第一分布被改变为第二分布,该第二分布具有阈值电压的扩展度测量的第二值,该第二值表示多个器件的阈值电压之间的较低变化。

主权项:1.一种用于与量子位栅极接口连接的系统,包括:多个器件,被配置为在低温环境中操作,其中与所述多个器件相关联的阈值电压的第一分布具有第一值,所述第一值指示所述阈值电压的扩展度测量;以及控制逻辑,被耦合到所述多个器件中的每个器件,所述控制逻辑被配置为修改与所述多个器件的每个器件相关联的阈值电压,使得所述第一分布被改变为第二分布,所述第二分布具有所述阈值电压的所述扩展度测量的第二值,所述第二值表示所述多个器件的阈值电压之间的较低变化。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 微软技术许可有限责任公司 具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路

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