申请/专利权人：上海百功微电子有限公司

申请日：2022-12-05

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116155071A

主分类号：H02M1/088

分类号：H02M1/088;H02M1/38

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明涉及一种GaN驱动电路，包括电源管理芯片、高侧反相器、低侧反相器以及连接到开关节点的氮化镓制高侧开关和氮化镓制低侧开关；电源管理芯片软件方式实现PWM，通过预先给定的固定频率控制输出的高侧PWM信号和低侧PWM信号，进而控制高侧反向器和低侧反向器选择性地驱动GaNHEMT1或GaNHEMT2导通或关断，对流经开关节点的电流进行转换，从而在半桥中点处提供期望的输出电压，低侧反向器选用或非门反相器，电源管理芯片提供的低侧PWM信号和高侧反相器发出的电平信号均为低电平时，低侧反向器输出才为高电平，避免高侧GaNHEMT开关和低侧GaNHEMT开关发生同时导通，本发明一种GaN驱动电路，减小了电路尺寸，电路结构紧凑、简单，提高了能源转换效率。

主权项：1.一种GaN驱动电路，其特征在于，包括：电源管理芯片、连接到开关节点的高侧开关GaNHEMT1和低侧开关GaNHEMT2；电源管理芯片内置MCU，MCU产生PWM信号，芯片引脚GPIO输出PWM方波；输入电源为电源管理芯片、高侧反相器和低侧反相器提供电源；输入电源与电源管理芯片、高侧反相器和低侧反相器相连接；电源管理芯片第一GPIO芯片引脚与高侧反相器输入端相连接；电源管理芯片第二GPIO芯片引脚与低侧反相器第一输入端相连接；高侧反相器输出端与低侧反相器第二输入端相连接；高侧开关GaNHEMT1漏极连接到输入电源的正极，源极耦合到低侧开关GaNHEMT2的漏极形成开关节点，栅极连接到高侧反相器的输出端；低侧开关GaNHEMT2漏极耦合到高侧开关GaNHEMT1的源极形成开关节点，源极接地，栅极连接到低侧反相器的输出端；电源管理芯片通过预先给定的固定频率控制输出的高侧PWM信号和低侧PWM信号，通过控制高侧反向器和低侧反向器选择性地驱动高侧开关GaNHEMT1或低侧开关GaNHEMT2导通或关断，对流经开关节点的电流进行转换，在半桥中点处提供期望的输出电压，低侧反向器选用或非门反相器，电源管理芯片提供的低侧PWM信号和高侧反相器发出的电平信号均为低电平时，低侧反向器输出才为高电平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海百功微电子有限公司 一种GaN驱动电路

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