申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-11-15

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116156868A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构。该方法包括：提供半导体衬底，形成第一位线；半导体衬底上形成支撑层，包括堆叠的第一氧化层、第一牺牲层、第二氧化层、第二牺牲层、第三氧化层、第三牺牲层和第四氧化层；在对应第一位线的位置形成贯穿支撑层的有源柱；去除第一和第三牺牲层，形成第一沟槽；去除有源柱的周向壁，形成第一环形槽，在竖直方向，第一环形槽大于第一沟槽的尺寸；在第一环形槽中形成P型填充物；于P型填充物形成半导体氧化物层，在竖直方向，半导体氧化物层的尺寸不小于第一沟槽的且小于P型填充物的尺寸；在第一沟槽中形成字线层；去除第二牺牲层形成第二沟槽并形成漏极连接层。该方法能够缩小半导体结构尺寸。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有第一位线；在所述半导体衬底上形成支撑层，所述支撑层包括在所述半导体衬底上依序堆叠的第一氧化层、第一牺牲层、第二氧化层、第二牺牲层、第三氧化层、第三牺牲层和第四氧化层；在所述支撑层的对应所述第一位线的位置形成有于竖直方向上贯穿所述支撑层的有源柱；去除所述第一牺牲层和所述第三牺牲层，分别形成第一沟槽；自每个所述第一沟槽蚀刻去除所述有源柱的部分周向壁，形成环绕所述有源柱的第一环形槽，且在所述竖直方向上，所述第一环形槽的尺寸大于所述第一沟槽的尺寸；在每个所述第一环形槽中形成P型填充物；于每个所述P型填充物形成半导体氧化物层，在所述竖直方向上，所述半导体氧化物层的尺寸不小于所述第一沟槽的尺寸且小于所述P型填充物的尺寸；在每个所述第一沟槽中形成字线层；去除所述第二牺牲层，形成第二沟槽；以及在所述第二沟槽中形成漏极连接层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构

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