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【发明公布】功率器件元胞结构及其制备方法和功率器件_比亚迪半导体股份有限公司_202111384986.3 

申请/专利权人:比亚迪半导体股份有限公司

申请日:2021-11-22

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN116153974A

主分类号:H01L29/08

分类号:H01L29/08;H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要:本发明公开了一种功率器件元胞结构及其制备方法和功率器件,功率器件元胞结构包括:依次叠层设置的集电极、第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区、第一导电类型的注入区、第一绝缘层和发射极,第一绝缘层中开设有接触孔,发射极通过接触孔与注入区接触;栅槽结构,栅槽结构的顶部与第一绝缘层接触,栅槽结构贯穿注入区和阱区,栅槽结构的底部延伸到漂移区;栅槽结构的至少一侧形成有第二导电类型的发射区,发射区沿栅槽结构的顶部向栅槽结构的底部延伸。本发明实施例的功率器件元胞结构,能够缩短沟道长度,减小沟道电阻,降低正向导通压降。

主权项:1.一种功率器件元胞结构,其特征在于,包括:依次叠层设置的集电极、第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区、第一导电类型的注入区、第一绝缘层和发射极,所述第一绝缘层中开设有接触孔,所述发射极通过所述接触孔与所述注入区接触;栅槽结构,所述栅槽结构的顶部与所述第一绝缘层接触,所述栅槽结构贯穿所述注入区和所述阱区,所述栅槽结构的底部延伸到所述漂移区;所述栅槽结构的至少一侧形成有第二导电类型的发射区,所述发射区沿所述栅槽结构的顶部向所述栅槽结构的底部延伸。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 比亚迪半导体股份有限公司 功率器件元胞结构及其制备方法和功率器件

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