申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2022-11-22
公开(公告)日:2023-05-23
公开(公告)号:CN116153373A
主分类号:G11C16/26
分类号:G11C16/26;G11C29/42;G11C16/24;G11C16/08;G11C16/14
优先权:["20211122 KR 10-2021-0160942"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2023.05.23#公开
摘要:提供了一种存储装置。所述存储装置包括:第一非易失性存储器装置;第二非易失性存储器装置;第三非易失性存储器装置;和存储控制器,被配置为:控制第一非易失性存储器装置、第二非易失性存储器装置和第三非易失性存储器装置,控制第一非易失性存储器装置在第一软擦除操作之后提取第一导通单元计数值,基于相应的第一导通单元计数值至第三导通单元计数值来设置相应的第一非易失性存储器装置至第三非易失性存储器装置的第一读取电平偏移至第三读取电平偏移,选择各自对应于相应的第一读取电平偏移至第三读取电平偏移的第一防御码参数集至第三防御码参数集,并且基于第一防御码参数集至第三防御码参数集发送第一读取命令至第三读取命令。
主权项:1.一种存储装置,包括:第一非易失性存储器装置;第二非易失性存储器装置;第三非易失性存储器装置;以及存储控制器,被配置为:控制第一非易失性存储器装置、第二非易失性存储器装置和第三非易失性存储器装置,控制第一非易失性存储器装置在第一软擦除操作之后提取第一导通单元计数值,控制第二非易失性存储器装置在第二软擦除操作之后提取第二导通单元计数值,控制第三非易失性存储器装置在第三软擦除操作之后提取第三导通单元计数值,基于相应的第一导通单元计数值至第三导通单元计数值,选择第一防御码参数集至第三防御码参数集,第一防御码参数集至第三防御码参数集各自与相应的第一非易失性存储器装置至第三非易失性存储器装置的第一读取电平偏移至第三读取电平偏移对应,以及基于选择的相应的第一防御码参数集至第三防御码参数集,将第一读取命令至第三读取命令发送到相应的第一非易失性存储器装置至第三非易失性存储器装置。
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