申请/专利权人：潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所

申请日：2023-02-21

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116154610A

主分类号：H01S5/024

分类号：H01S5/024

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明公开了一种用于改善半导体激光器Smile效应的封装结构，包括：热沉、半导体激光器芯片、绝缘层、次热沉、负极片。热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，半导体激光器芯片的P面朝下焊接于热沉的芯片安装区，绝缘层安装于热沉的绝缘区之上，次热沉焊接于半导体激光器芯片N面，负极片覆盖于次热沉和绝缘层上并固定牢固，负极片与次热沉焊接。由于半导体激光器芯片靠近有源区的P面焊接在热沉上，次热沉焊接在半导体激光器芯片N面。次热沉与热沉在芯片的两侧，对芯片的弯曲具有相反的作用，次热沉降低了由于热沉与半导体激光芯片热膨胀系数不匹配而导致的形变，减小半导体激光器Smile效应。

主权项：1.一种用于改善半导体激光器Smile效应的封装结构，其特征在于，包括：热沉、半导体激光器芯片、绝缘层、次热沉、负极片；热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，半导体激光器芯片P面朝下焊接于热沉的芯片安装区，绝缘层安装于热沉的绝缘区，次热沉焊接于半导体激光器芯片的N面，负极片覆盖于次热沉和绝缘层上并固定牢固，负极片与次热沉焊接。

全文数据：

权利要求：

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