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【发明公布】一种改善高压器件可靠性的工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202310274952.1 

申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

申请日:2023-03-20

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN116153790A

主分类号:H01L21/336

分类号:H01L21/336

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要:本发明提供一种改善高压器件可靠性的工艺方法,提供基底及位于所述基底上的有源区,有源区上覆盖有伪栅极结构;将伪栅极结构依据所述有源区的轮廓形成多个狭槽,其中多个狭槽相互平行,且长度方向沿所述有源区内的沟道方向,该方向与有源区的第一组边界平行;狭槽的顶端不穿通有源区的第二组边界;第一组边界与第二组边界围成有源区的轮廓;在形成狭槽后的伪栅极结构上覆盖介质层以填充所述狭槽,之后对介质层进行顶部平坦化以露出伪栅极结构顶部;去除伪栅极结构,在填充了介质层的狭槽之间形成凹槽;覆盖金属层以填充所述凹槽;对金属层顶部进行平坦化以露出介质层顶部。

主权项:1.一种改善高压器件可靠性的工艺方法,其特征在于,至少包括:步骤一、提供基底及位于所述基底上的有源区,所述有源区上覆盖有伪栅极结构;步骤二、将所述伪栅极结构依据所述有源区的轮廓形成多个狭槽,其中所述多个狭槽相互平行,且长度方向沿所述有源区内的沟道方向,该方向与所述有源区的第一组边界平行;所述狭槽的顶端不穿通所述有源区的第二组边界;所述第一组边界与所述第二组边界围成所述有源区的轮廓;步骤三、在形成狭槽后的所述伪栅极结构上覆盖介质层以填充所述狭槽,之后对所述介质层进行顶部平坦化以露出所述伪栅极结构顶部;步骤四、去除所述伪栅极结构,在填充了所述介质层的狭槽之间形成凹槽;步骤五、覆盖金属层以填充所述凹槽;步骤六、对所述金属层顶部进行平坦化以露出所述介质层顶部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海华力集成电路制造有限公司 一种改善高压器件可靠性的工艺方法

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