申请/专利权人：信越化学工业株式会社

申请日：2021-06-18

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116157550A

主分类号：C23C16/40

分类号：C23C16/40

优先权：["20200806 JP 2020-133535","20210317 JP 2021-043094"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明为一种半导体层叠体，其至少包括基体、缓冲层及至少包含一种金属元素的具有刚玉结构的结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体在所述基体的主表面上直接或隔着其他层具有所述缓冲层、在所述缓冲层上具有所述结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体的特征在于，所述缓冲层为组成各自不同的多层缓冲膜的层叠结构体，所述多层缓冲膜中至少有两层缓冲膜的膜厚为200nm以上650nm以下。由此，可提供即使通过异质外延生长而形成时，也具有结晶缺陷、翘曲及裂纹被抑制的高品质的刚玉型结晶性金属氧化物半导体膜的半导体层叠体。

主权项：1.一种半导体层叠体，其至少包括基体、缓冲层及至少包含一种金属元素的具有刚玉结构的结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体在所述基体的主表面上直接或隔着其他层具有所述缓冲层、在所述缓冲层上具有所述结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体的特征在于，所述缓冲层为组成各自不同的多层缓冲膜的层叠结构体，所述多层缓冲膜中至少有两层缓冲膜的膜厚为200nm以上650nm以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越化学工业株式会社 半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法

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