申请/专利权人：理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司

申请日：2022-09-07

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116154045A

主分类号：H01L31/20

分类号：H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/0352

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明提供用于制造埋栅太阳能电池的方法以及埋栅太阳能电池。所述埋栅太阳能电池包括单晶硅片，所述单晶硅片正面上依次形成有第一本征非晶硅层以及第一氮化硅减反层，所述单晶硅片反面上开设有多个凹槽，所述多个凹槽中设置有电镀电极，所述单晶硅片反面上依次形成有第二本征非晶硅层以及第二氮化硅减反层，连接导线通过由激光焊接工艺形成的焊点与硅片两端的电镀电极焊接连接，所述多个凹槽的槽壁为N型重掺层或P型重掺层，相邻凹槽槽壁的重掺杂类型相反。本发明能提高太阳能电池的填充因子以及电池效率，降低太阳能电池的制造成本。

主权项：1.一种用于制造埋栅太阳能电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供单晶硅片，对硅片正面进行制绒，对硅片反面进行抛光；S2.在硅片表面涂敷重掺层，利用激光在硅片表面按预设电极图形进行开槽并使所述重掺层重掺在所开凹槽的槽壁上；S3.对所述凹槽进行电镀工艺，从而在所述凹槽中形成电镀电极；S4.对单晶硅片进行退火处理及清洗处理；S5.在硅片正面上形成第一本征非晶硅层以及第一氮化硅减反层，在硅片反面上形成第二本征非晶硅层以及第二氮化硅减反层；以及S6.提供多个连接导线，利用激光焊接工艺使所述多个连接导线与硅片两端的电镀电极焊接连接。

全文数据：

权利要求：

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