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【发明公布】具有气隙脊的叉片晶体管装置_英特尔公司_202211286181.X 

申请/专利权人:英特尔公司

申请日:2022-10-20

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN116153964A

主分类号:H01L29/06

分类号:H01L29/06;H01L27/088

优先权:["20211122 US 17/455,938"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2023.05.23#公开

摘要:本文提供了形成具有气隙脊的叉片装置的技术。气隙可以没有气体,或者可以有气体。在示例中,装置包括从空隙气隙的第一侧横向延伸并具有限定空隙的第一侧的部分的端面的第一半导体主体,以及从空隙的第二侧横向延伸并且具有限定空隙的第二侧的部分的端面的第二半导体主体。第一栅极结构在第一半导体主体上,并且第二栅极结构在第二半导体主体上。在一些情况下,间隔体结构位于源极或漏极区域与对应的栅极结构之间,间隔体结构包括空隙的一个或多个部分。空隙可以通过装置形成后背面工艺来产生。

主权项:1.一种集成电路,包括:空隙;第一组两个或更多个半导体主体,均从所述空隙的第一侧横向延伸;第二组两个或更多个半导体主体,均从所述空隙的第二侧横向延伸;在所述第一组的所述两个或更多个半导体主体上的第一栅极结构;以及在所述第二组的所述两个或更多个半导体主体上的第二栅极结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 英特尔公司 具有气隙脊的叉片晶体管装置

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