申请/专利权人：黑龙江省科学院高技术研究院

申请日：2023-02-24

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116145190A

主分类号：C25B11/091

分类号：C25B11/091;C25B11/052;C25B1/55;C25B1/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：一种叠层积木结构的硫化铋钒酸铋异质结阵列的制备方法，涉及光电半导体材料领域，具体涉及一种硫化铋钒酸铋异质结阵列的制备方法。是要解决现有方法制备的单组分钒酸铋不利于光生载流子的传输，不利于太阳光的充分利用，导致光电流密度较低的问题。方法：一、在FTO导电基底上制备ZnO种子层；二、钒酸铋阵列的制备；三、煅烧；四、硫化铋钒酸铋异质结的制备。本发明采用原位阴离子交换生长法制备的硫化铋钒酸铋异质结构是层叠积木结构，这种有规律致密的积木结构围绕钒酸铋纳米棒形成，硫化铋交叉的纳米棒均匀堆叠在钒酸铋纳米棒周围，利于光吸收，利于光生电荷载流子的传输，获得了极高的光电流密度。本发明用于制备硫化铋钒酸铋异质结阵列。

主权项：1.一种叠层积木结构的硫化铋钒酸铋异质结阵列的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：一、利用浸渍提拉法将ZnO种子液均匀的涂敷在清洗后的FTO玻璃上，待干燥后在300-450℃下煅烧30-60min，得到覆有ZnO种子层的FTO基片；二、将偏钒酸钠溶液缓慢滴入硝酸铋溶液中，反应5-6min，得反应液；将覆有ZnO种子层的FTO基片浸泡在反应液中，导电面向下，在水浴条件下反应30-150min，反应温度为40-90℃，制备得到四方锆石相钒酸铋纳米棒阵列；三、将步骤二得到的四方锆石相钒酸铋纳米棒阵列用管式炉煅烧，通入Ar气，煅烧温度为300-400℃，煅烧时间为20-100min，得到四方锆石相和单斜相核壳结构的钒酸铋前驱体；四、将步骤三得到的前驱体放入含硫化合物溶液中，导电面朝上，反应时间为20min-7h，反应温度为80-160℃，反应结束后进行冷却，即得到Bi2S3BiVO4异质结阵列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 黑龙江省科学院高技术研究院 一种叠层积木结构的硫化铋/钒酸铋异质结阵列的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD