申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2022-11-18

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116153998A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/417;H01L21/336

优先权：["20211119 DE 102021130312.5"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.23#公开

摘要：公开了包括沟槽栅极结构的半导体器件。一种包括碳化硅半导体本体中的沟槽栅极结构的半导体器件。沟槽栅极结构的至少一部分沿第一横向方向延伸。半导体器件包括第一导电类型的源极区，在沿第一横向方向的第一分段中邻接沟槽栅极结构。半导体器件包括第二导电类型的半导体区。半导体区包括布置在第一分段中的源极区下方的第一子区，和布置在沿第一横向方向直接邻接第一分段的第二分段中的第二子区。半导体器件包括第一导电类型的电流扩布区。电流扩布区包括第一子区和第二子区，第一子区在第一分段中在距半导体本体的第一表面的竖向距离处直接邻接沟槽栅极结构，第二子区在第二分段中在距第一表面的竖向距离处与沟槽栅极结构间隔开一定横向距离。

主权项：1.一种半导体器件100，包括：在碳化硅SiC半导体本体104中的沟槽栅极结构102，其中沟槽栅极结构102的至少一部分沿着第一横向方向x1延伸；第一导电类型的源极区105，其在沿着第一横向方向x1的第一分段1081中邻接沟槽栅极结构102；第二导电类型的半导体区110，其中半导体区110包括被布置在第一分段1081中的源极区105下方的第一子区1101，以及被布置在沿着第一横向方向x1直接邻接第一分段1081的第二分段1082中的第二子区1102；以及第一导电类型的电流扩布区112，其中电流扩布区112包括第一子区1121和第二子区1122，第一子区1121在第一分段1081中在距SiC半导体本体104的第一表面116的竖向距离t处直接邻接沟槽栅极结构102，第二子区1122在第二分段1082中在距第一表面116的竖向距离t处与沟槽栅极结构102间隔开一定横向距离d。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 包括沟槽栅极结构的半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD