申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2021-11-19

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116153931A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L21/8238

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。该半导体结构包含一基底、一薄膜晶体管位于该基底上，该薄膜晶体管包含一薄膜晶体管通道层、一第一源极与一第一漏极位于该薄膜晶体管通道层中以及一第一覆盖层位于该薄膜晶体管通道层上、一金属氧化物半场效晶体管位于该基底上，该薄膜晶体管包含一第二栅极、一第二源极与一第二漏极位于该第二栅极两侧以及一第二覆盖层位于该第二栅极上，其中该第二覆盖层与该第一覆盖层的顶面同高、以及一第一层间介电层位于该第一覆盖层与该第二覆盖层上，其中该第一层间介电层与该第一覆盖层共同作为该薄膜晶体管的栅介电层。

主权项：1.一种半导体结构，包含：基底；薄膜晶体管，位于该基底上，该薄膜晶体管包含薄膜晶体管通道层、第一源极与第一漏极位于该薄膜晶体管通道层中以及第一覆盖层位于该薄膜晶体管通道层上；金属氧化物半场效晶体管，位于该基底上，该薄膜晶体管包含第二栅极、第二源极与第二漏极分别位于该第二栅极两侧、以及第二覆盖层位于该第二栅极上，其中该第二覆盖层与该第一覆盖层的顶面同高；以及第一层间介电层，位于该第一覆盖层与该第二覆盖层上，其中该第一层间介电层与该第一覆盖层共同作为该薄膜晶体管的栅介电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体结构及其制作工艺

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