申请/专利权人：原子能与替代能源委员会

申请日：2020-07-16

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116157929A

主分类号：H01L33/24

分类号：H01L33/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本公开涉及一种发光二极管的制造方法，包括以下连续步骤：a形成包括多个量子阱的堆叠的有源层103，每个量子阱包括由半导体合金制成的层103a；b形成二极管单片化沟槽201，该沟槽穿过有源层103；以及c在沟槽201的侧壁中向有源层103的边缘施加化学处理，该化学处理适合于相对于半导体合金的至少另一组分选择性地蚀刻半导体合金的第一组分，半导体合金的带隙取决于合金中第一组分的浓度。

主权项：1.一种发光二极管的制造方法，包括以下连续步骤：a形成包括多个量子阱的堆叠的有源层103，每个量子阱包括由半导体合金制成的层103a；b形成用于使所述二极管单片化的沟槽201，所述沟槽穿过所述有源层103；以及c在所述沟槽201的侧壁的水平处向所述有源层103的侧面施加化学处理，所述化学处理能够选择性地蚀刻所述半导体合金的第一组分而优先于所述半导体合金的至少另一组分，其中所述半导体合金的带隙宽度是所述合金中所述第一组分的浓度的函数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 原子能与替代能源委员会 制造LED的方法和由所述方法制造的LED

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