申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-07-04

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116153983A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78

优先权：["20220113 US 63/299,205","20220517 US 17/746,323"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本公开总体涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种制造半导体器件的方法中，在电介质层中的第一导电层之上形成开口，在开口中的第一导电层之上形成第二导电层，而不在电介质层的至少上表面上形成第二导电层，在开口中的第二导电层之上形成第三导电层，而不在电介质层的至少上表面上形成第三导电层，以及在开口中的第三导电层之上形成上层。

主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在电介质层中的第一导电层之上形成开口；在所述开口中的所述第一导电层之上形成第二导电层，而不在所述电介质层的至少上表面上形成所述第二导电层；在所述开口中的所述第二导电层之上形成第三导电层，而不在所述电介质层的至少上表面上形成所述第三导电层；以及在所述开口中的所述第三导电层之上形成上层，其中，所述上层通过所述第三导电层与所述第二导电层间隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件的方法和半导体器件

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