申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2023-02-23

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116157002A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;H10B63/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本公开涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。其中，存储器件包括：第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。

主权项：1.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件包括：第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 存储器件、存储设备和存储器件制备方法

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