申请/专利权人：广东仁懋电子有限公司

申请日：2023-04-10

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116153883A

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473;H01L23/04;H01L23/10;H01L23/58;H01L25/07

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.07#授权;2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本说明书实施例提供一种IGBT封装结构，包括基板与外壳之间形成安装空腔，安装空腔内设置有DBC板、第一焊层、第二焊层、二极管芯片及IGBT芯片，基板设置在底部散热基座；散热驱动集成电路用于获取IGBT芯片的温度信息及电流信息；散热驱动集成电路设置在顶部散热基座上；散热组件，包括发热侧及吸热侧，散热组件的发热侧设置在顶部散热基座上，散热组件的发热侧与顶部散热基座之间设置有第三导热层，散热组件的吸热侧与二极管芯片及IGBT芯片连接，散热组件的吸热侧与二极管芯片及IGBT芯片之间设置有第四导热层；散热驱动集成电路还用于基于IGBT芯片的温度信息及电流信息，驱动散热组件对IGBT芯片进行散热。

主权项：1.一种IGBT封装结构，包括设置在基板上的外壳，所述基板与外壳之间形成安装空腔，所述安装空腔内设置有DBC板、第一焊层、第二焊层、二极管芯片及IGBT芯片，所述DBC板通过所述第一焊层焊接在所述基板上，所述二极管芯片及所述IGBT芯片通过所述第二焊层焊接在所述DBC板上，所述DBC板、所述二极管芯片及所述IGBT芯片通过键合线电连接，其特征在于，还包括：底部散热基座，所述基板设置在所述底部散热基座，所述基板与所述底部散热基座之间设置有第一导热层；散热驱动集成电路，用于获取所述IGBT芯片的温度信息及电流信息；顶部散热基座，所述外壳正对所述基板的一侧开口设置，所述顶部散热基座穿设在所述外壳上；所述散热驱动集成电路设置在所述顶部散热基座位于所述安装空腔内的一侧上，所述散热驱动集成电路与所述顶部散热基座之间设置有第二导热层；散热组件，包括发热侧及吸热侧，所述散热组件的发热侧设置在所述顶部散热基座位于所述安装空腔内的一侧上，所述散热组件的发热侧与所述顶部散热基座之间设置有第三导热层，所述散热组件的吸热侧与所述二极管芯片及所述IGBT芯片连接，所述散热组件的吸热侧与所述二极管芯片及所述IGBT芯片之间设置有第四导热层；所述散热驱动集成电路还用于基于所述IGBT芯片的温度信息及电流信息，驱动所述散热组件对所述IGBT芯片进行散热。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东仁懋电子有限公司 一种IGBT封装方法及IGBT封装结构

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