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【发明公布】半导体器件_三星电子株式会社_202211113488.X 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2022-09-13

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN116157006A

主分类号:H10N97/00

分类号:H10N97/00

优先权:["20211119 KR 10-2021-0160384"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2023.05.23#公开

摘要:一种半导体器件,包括电容器。电容器包括在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极。介电层包括介于底部电极与顶部电极之间并在第一方向上堆叠的第一介电层和第二介电层。第一介电层是反铁电的,并且第二介电层是铁电的。第一介电层的热膨胀系数大于第二介电层的热膨胀系数。

主权项:1.一种半导体器件,包括:电容器,其中,所述电容器包括在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极,所述第一方向垂直于所述底部电极与所述介电层之间的界面,其中,所述介电层介于所述底部电极与所述顶部电极之间,并且包括在所述第一方向上堆叠的第一介电层和第二介电层,所述第一介电层是反铁电的,所述第二介电层是铁电的,以及所述第一介电层的热膨胀系数大于所述第二介电层的热膨胀系数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 半导体器件

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