申请/专利权人：重庆鑫景特种玻璃有限公司

申请日：2020-09-30

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN112340998B

主分类号：C03C10/12

分类号：C03C10/12;C03C21/00;H05K5/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2021.03.02#实质审查的生效;2021.02.09#公开

摘要：本申请公开了一种防护件及其制备方法、微晶玻璃和电子设备，该防护件包括微晶玻璃，微晶玻璃是经过高温离子交换工艺处理后得到的强化微晶玻璃，微晶玻璃包括外层区域和内层区域，外层区域从微晶玻璃的表面开始向微晶玻璃的内部延伸，外层区域的晶体比例小于内层区域的晶体比例；外层晶体比例为：N＝Nx*47.5*T^0.16100；其中，N为外层晶体比例，T为外层区域的深度，T为外层区域中沿深度方向的晶体尺寸的整数倍，T大于0且小于或等于0.1t，t为微晶玻璃的总厚度，t的单位为μm，Nx为内层晶体比例；在室温和频率为0.5～1GHz的条件下微晶玻璃的介电常数为5～7、介电损耗角正切值小于或等于2×10‑3。通过上述方式，本申请能够提高防护件的介电性能。

主权项：1.一种防护件，其特征在于，所述防护件包括微晶玻璃，所述微晶玻璃是经过高温离子交换工艺处理后得到的强化微晶玻璃，所述微晶玻璃包括外层区域和内层区域，所述外层区域从所述微晶玻璃的表面开始向所述微晶玻璃的内部延伸，所述外层区域的晶体比例小于所述内层区域的晶体比例；外层晶体比例为：N＝Nx*47.5*T^0.16100其中，N为所述外层晶体比例，T为所述外层区域的深度，T为所述外层区域中沿深度方向的晶体尺寸的整数倍，T大于0且小于或等于0.1t，t为所述微晶玻璃的总厚度，t的单位为μm，Nx为内层晶体比例；在室温和频率为0.5～1GHz的条件下所述微晶玻璃的介电常数为5～7、介电损耗角正切值小于或等于2×10-3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆鑫景特种玻璃有限公司 一种防护件及其制备方法、微晶玻璃和电子设备

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