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【发明授权】鳍式场效应管及其制作方法_泉芯集成电路制造(济南)有限公司_202011622847.5 

申请/专利权人:泉芯集成电路制造(济南)有限公司

申请日:2020-12-31

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN112802898B

主分类号:H01L29/78

分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.23#授权;2021.06.01#实质审查的生效;2021.05.14#公开

摘要:本发明公开了一种鳍式场效应管输入输出器件及其制作方法,所述鳍式场效应管输入输出器件包括:半导体衬底,具有第一表面,第一表面包括多个器件区;位于器件区表面上的多个鳍形结构;同一器件区表面上的鳍形结构的掺杂浓度相同;位于半导体衬底具有所述鳍形结构一侧表面的浅沟道隔离层,浅沟道隔离层的厚度低于鳍形结构的高度,浅沟道隔离层上方的鳍形结构表面上具有预设厚度的栅极介电层;设置在栅极介电层表面的栅极,栅极与器件区一一对应设置,所述栅极相互绝缘;至少两个所述栅极的金属功函数不同,和或,至少两个所述器件区表面上的所述鳍形结构的掺杂浓度不同。本技术方案为鳍式场效应管输入输出器件具有多种阈值电压的设计。

主权项:1.一种鳍式场效应管输入输出器件,其特征在于,所述鳍式场效应管输入输出器件包括:半导体衬底;所述半导体衬底具有第一表面,所述第一表面包括多个器件区;位于所述器件区表面上的多个鳍形结构;同一所述器件区表面上的所述鳍形结构的掺杂浓度相同,至少两个所述器件区表面上的所述鳍形结构的掺杂浓度不同;位于所述半导体衬底具有所述鳍形结构一侧表面的浅沟道隔离层,所述浅沟道隔离层的厚度低于所述鳍形结构的高度,所述浅沟道隔离层上方的鳍形结构表面上具有预设厚度的栅极介电层;设置在栅极介电层表面的栅极,所述栅极与所述器件区一一对应设置,所述栅极相互绝缘。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 鳍式场效应管及其制作方法

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