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【发明授权】存储装置、包括存储装置的系统以及操作存储装置的方法_三星电子株式会社_201710628774.2 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2017-07-28

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN107665722B

主分类号:G11C16/10

分类号:G11C16/10;G11C16/34;G11C7/10;G06F11/14

优先权:["20160729 KR 10-2016-0096759"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.23#授权;2019.08.23#实质审查的生效;2018.02.06#公开

摘要:本申请提供一种存储装置、包括存储装置的系统以及操作存储装置的方法。所述方法包括从主机装置接收写入任务。该方法还包括将写入任务存储在包括在存储装置中的任务队列中。从主机装置接收写入执行命令。该方法包括响应于写入执行命令执行写入任务,并且在将写入任务存储在任务队列中之后以及在接收到写入执行命令之前执行存储装置的内部管理操作。在接收到写入执行命令之前,通过在排队阶段和就绪阶段期间预先执行诸如数据备份操作的内部管理操作来减少存储装置对写入执行命令的响应时间,从而提高系统性能。

主权项:1.一种操作存储装置的方法,包括步骤:从主机装置接收写入任务;将所述写入任务存储在包括在所述存储装置中的任务队列中;从所述主机装置接收写入执行命令;响应于所述写入执行命令来执行所述写入任务;以及在将所述写入任务存储在所述任务队列中之后并且在接收到所述写入执行命令之前,执行所述存储装置的内部管理操作,所述内部管理操作包括将风险数据存储在所述存储装置的备份区域的数据备份操作、将伪数据写入所述存储装置的存储区域的伪写入操作、以及将用于控制所述存储装置的元数据写入所述存储装置中的元数据写入操作中的至少一种。

全文数据:存储装置、包括存储装置的系统以及操作存储装置的方法[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2016年7月29日提交至韩国知识产权局(KIP0的韩国专利申请No.10-2016-0096759的优先权,该申请的全部公开内容以引用方式并入本文中。技术领域[0003]本公开的示例性实施例一般性地涉及半导体集成电路。更具体地,本公开的示例性实施例涉及存储装置、包括存储装置的系统以及操作存储装置的方法。背景技术[0004]半导体存储器装置可以分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。诸如动态随机存取存储器DRAM装置、静态随机存取存储器SRAM等易失性存储器装置在断电时会丢失存储的数据。诸如闪速存储器、铁电随机存取存储器FRAM、相变随机存取存储器PRAM、磁随机存取存储器MRAM等非易失性存储器装置即使断电也可以保持存储的数据。特别地,诸如闪速存储器的非易失性存储器装置可以具有编程速度快、功耗低、存储容量大等优点,因此被广泛用作诸如MP3播放器、数码相机、固态盘(SSD、嵌入式多媒体卡eMMC、计算系统等需要低功率和大容量存储装置的各种领域中的存储介质。[0005]使用非易失性存储器的eMMC合并了控制器,并且主要用于诸如智能手机、平板PC等移动产品。使用存储装置的系统的性能会因等待时间或响应时间例如,与从主机装置的服务请求到存储装置的服务应答的延迟时间相对应的增加而劣化。发明内容[0006]本公开的一些示例性实施例可以提供一种能够有效地执行写入操作的存储装置。[0007]本公开的一些示例性实施例可以提供一种包括能够有效地执行写入操作的存储装置的系统。_[0008]本公开的一些示例性实施例可以提供一种对能够有效地执行写入操作的存储装置进行操作的方法。[0009]根据本公开的示例性实施例,一种操作存储装置方法包括从主机装置接收写入^务。该方法还包括将写入任务存储在包括在存储装置中的任务队列中。从主机装置接收写入执行命令。该方法包括响应于写入执行命令来执行写入任务。在将写入任务存储在任务队列之后并且在接收到写入执行命令之前,执行存储装置的内部管理操作。[0010]根据本公开的示例性实施例,一种存储装置包括非易失性存储器装置和构造为^制该非易失性存储器装置的存储控制器。存储控制器包括构造为存储从主机装置提供的写入任务以及写入任务的状态信息的任务队列。存储控制器还包括构造为控制存储彳空制器的处理器。在将写入任务存储在任务队列中之后并且在从主机装置接收到与入执行命令之前,处理器执行存储装置的内部管理操作。[0011]根据本公开的示例性实施例,一种系统包括主机装置以及由主机装置控制的嵌入式多媒体卡eMM〇。在将从主机装置提供的写入任务存储在包括在eMMC中的任务队列中之后并且在从主机装置接收到写入执行命令之前,eMMC执行eMMC的内部管理操作。[0012]根据示例性实施例的存储装置、系统以及相关方法可以减少存储装置的响应时间例如,对写入执行命令的响应时间)。此外,本文描述的存储装置、系统以及相关方法可以在接收到写入执行命令之前通过在排队阶段和就绪阶段期间预先执行诸如数据备份操作的内部管理操作来提高系统的性能。附图说明[0013]通过以下参考附图的详细说明,将更加清晰地理解本公开的示例性实施例。[0014]图1是示出根据示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图。[0015]图2是示出根据示例性实施例的包括存储装置的系统的框图。[0016]图3是示出图2的存储装置中包括的任务队列的示图。[0017]图4是用于描述根据图2的系统的命令排队的写入操作和读取操作的流程图。[0018]图5是示出在图2的系统中使用的命令的示例格式的示图。[0019]图6是示出在图2的系统中使用的命令的示例定义的示图。[0020]图7是示出图6的命令定义中的任务管理操作码的示例的示图。[0021]图8是示出根据示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图。[0022]图9是示出图2的存储装置中包括的非易失性存储器单元阵列的示例的电路图。[0023]图10是用于描述正常执行写入操作时多电平单元的状态的变化的示图。[0024]图11是用于描述在多电平单元的最低有效位页的写入操作期间发生突然断电的情况的示图。[0025]图12是用于描述在最低有效位页的写入操作期间发生突然断电时多电平单元的状态的变化的示图。[0026]图13是用于描述在多电平单元的最高有效位页的写入操作期间发生突然断电的情况的不图。[0027]图14是用于描述在最高有效位页的写入操作期间发生突然断电时多电平单元的状态的变化的示图。[0028]图15是示出在存储装置接收到写入执行命令之后执行内部管理操作的情况的流程图。[0029]图16是示出根据示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图。[0030]图17和图18是示出根据示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图。[0031]图19是示出根据示例性实施例的移动装置的框图。具体实施方式[0032]现在将参照示出了一些示例性实施例的附图更加全面地描述各个示例性实施例。在附图中,相同标记始终指代相同元件。可以省略重复的描述。[0033]图1是示出根据示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图。[0034]参见图1,存储装置从主机装置接收写入任务S10。如下面将要描述的那样,可以通过至少一个命令将写入任务从主机装置提供给存储装置。写入任务对应于来自主机装置的服务请求,用于将来自主机装置的写入数据存储在存储装置的存储区域中。[0035]将所接收的写入任务存储在包括在存储装置中的任务队列中(S20。本文所述的任务队列对应于能够存储数据的有形存储介质的一部分。本文所述的所有形式的存储器在其中存储数据的时间期间是有形的和非暂时性的。如本文所使用的,术语“非暂时性”不应解释为状态的永恒特征,而应解释为将会持续一段时间的状态的特征。本文所述的任何存储器是制造品和或机器组件。本文所述的存储器是计算机可读介质,例如计算机可从该计算机可读介质读取数据和可执行的指令。存储装置可以包括用于支持命令排队的任务队列,并且可以使用该任务队列来存储写入任务。可以根据任务的优先级来调整存储的任务例如,写入任务)的执行顺序。可通过在存储任务队列中预先存储任务然后确定所存储的任务的执行定时来有效地对数据总线进行操作。[0036]存储装置从主机装置接收写入执行命令S30,然后响应于写入执行命令来执行写入任务S40。在示例性实施例中,当准备好执行写入任务时,存储装置可以向主机装置通知写入任务的就绪状态,并且主机装置可以在主机装置检查例如,接收或甚至验证到就绪状态的通知之后将写入执行命令发送至存储装置。[0037]这样,主机装置和存储装置之间的写入事务transaction可以包括排队阶段、就绪阶段和执行阶段。在排队阶段,写入任务被传输并存储在存储装置的任务队列中。在就绪阶段,存储装置确定所存储的写入任务是否准备好被执行,并且向主机装置通知写入任务的就绪状态。在执行阶段,主机装置将写入执行命令与写入数据发送至存储装置,然后存储装置响应于写入执行命令来执行写入任务。[0038]根据示例性实施例,存储装置可以在将写入任务存储在任务队列之后并且在接收到写入执行命令之前执行存储装置的内部管理操作S50。[0039]在一些示例性实施例中,内部管理操作可以包括将风险数据存储在存储装置的备份区域的数据备份操作。风险数据可以包括,例如,在存储于存储装置的存储区域中的数据当中通过执行写入任务而要被损坏的数据。在其他示例性实施例中,内部管理操作可以包括将伪数据写入存储装置的存储区域的伪写入操作。当存储区域存在存储数据中的错误时或者当确定了错误的可能性时,可以执行伪写入操作。在其他示例性实施例中,内部管理操作包括用于控制存储装置的元数据的写入操作。[0040]如果在接收写入执行命令之后执行数据备份操作,则会增加存储装置对于主机装置的写入执行的响应时间。当执行伪写入操作和元数据的写入操作时,如果存储装置处于忙碌状态,则主机装置对存储装置的访问会被限制或阻碍例如,减慢、延迟)。[0041]根据示例性实施例的操作存储装置的方法可以减少存储装置响应写入执行命令所花费的时间。操作存储装置的方法也可以在接收到写入执行命令之前通过在排队阶段和就绪阶段期间预先执行内部管理操作例如,数据备份操作来提高系统的性能。[0042]以引用的方式将2015年1月由联合电子装置工程委员会(JEDEChttp:www.jedec.org发布的嵌入式多媒体卡eMMC电气标准版本5.1g卩,JESD84-B51并入本文中。由此,除非另有定义,否则本文使用的术语和定义与JESD84-B51中所定义的含义相同。[0043]图2是示出根据示例性实施例的包括存储装置的系统的框图。图3是示出图2的存储装置中包括的任务队列的示图。[0044]参见图2,系统1000包括主机装置2000和存储装置3000。例如,主机装置2000可以是嵌入式多媒体卡eMMC。[0045]主机装置2000可以构造为控制诸如数据读取操作和数据写入操作的数据处理操作。可以以单数据速率SDR或双数据速率DDR执行数据处理操作。[0046]主机装置2000可以是能够处理数据的数据处理装置,诸如中央处理单元CPU、处理器、微处理器或应用处理器。主机装置2000和存储装置3000可以嵌入或实现在电子装置中。图2的系统1000可以是任意的电子装置,诸如个人计算机PC、笔记本计算机、移动电话、智能电话、平板PC、个人数字助理PDA、企业数字助理EDA、数字静态相机、数字摄像机、音频装置、便携式多媒体播放器PMP,个人导航装置或便携式导航装置PND、MP3播放器、手持游戏机或电子书等。[0047]当系统1000是电子装置时,存储装置3000可以通过连接器件例如,焊盘、引脚、总线或通信线与系统1000电子装置的其他组件电连接,以与主机装置2000通信。[0048]主机装置2000可以包括处理器(CPU2100、存储器MEM2200和主机控制器接口HCI2300。操作系统OS和或主机固件FW2110可以由处理器2100驱动。主机装置2000还可以包括时钟发生器未示出)、状态控制单元(未示出)等。时钟发生器生成在主机装置2000和存储装置3000中使用的时钟信号。可以由例如锁相环PLL来实现时钟发生器。[0049]处理器2100可以包括硬件和或软件,用于控制命令CMD的生成、响应RES的分析、存储装置3000的寄存器例如,扩展EXT_CSD寄存器未示出))中的数据存储、以及或者数据处理。处理器2100可以驱动操作系统和主机固件2110来执行这些操作。[0050]主机控制器接口2300可以与存储装置3000接口。例如,主机控制器接口2300构造为向存储装置3000发出命令CMD、从存储装置3000接收对于命令MD的响应RES、向存储装置3000传送写入数据、以及从存储装置3000接收读取数据。[0051]存储装置300可以包括存储控制器200和多个非易失性存储器装置NVM100。[0052]非易失性存储器装置100可选择性地施加有外部高电压VPP。可以用闪速存储器、FRAME、PRAM、MRAM等实现非易失性存储器装置100。[0053]存储控制器200可以通过多个信道CH1至CHi连接至非易失性存储器装置100。存储控制器200可以包括一个或多个处理器210、ECC块220、主机接口230、缓冲存储器240、非易失性存储器接口250和任务队列260。在一些示例性实施例中,非易失性存储器装置100可以包括片上ECC引擎未示出),并且在这种情况下可以省略ECC块220。[0054]缓冲存储器240可以存储用于驱动存储控制器200的数据。尽管图2示出了缓冲存储器240包括在存储控制器200中的示例性实施例,但是缓冲存储器240不限于此。例如,缓冲存储器240可以设置在存储控制器200的外部。[0055]ECC块220可以计算要在写入操作编程的数据的错误校正码值,并且可以使用错误校正码值来校正在读取操作读取数据的错误。在数据恢复操作中,ECC块220可以校正从非易失性存储器装置100恢复的数据的错误。尽管图2中未示出,但还可以包括代码存储器以存储驱动存储控制器200所需的代码数据。可以由非易失性存储器装置实现代码存储器。[0056]处理器210构造为控制存储控制器200的整体操作。例如,处理器210可以操作包括闪存转换层FTL等的固件212TL可以执行例如地址映射、读取校准、错误校正等各种功能。[0057]任务队列260可以存储任务例如,从主机装置2000提供的写入任务和读取任务)以及各个任务的状态信息。尽管图2示出了任务队列260在主机接口230之外,但是任务队列260可以包括在主机接口230中。下面将参考图3进一步描述任务队列260。[0058]主机接口230可以提供与诸如主机装置2000的外部装置的接口。非易失性存储器接口250可以提供与非易失性存储器装置100的接口。[0059]主机装置2000和存储装置3000可以通过总线10连接。例如,图2中的总线10可以是在JESD84-B51中规定的eMMC总线,其包括i^一条信号线或电线。eMMC总线可以包括时钟线、数据选通线、双向命令信号线、复位线和多条数据线。然而,总线10不限于eMMC总线。[0060]总线10中的时钟线可以将时钟信号从主机装置2000传送至存储装置3000。总线10中的双向命令信号线可以将命令从主机装置2000传送至存储装置3000,并将对于命令的响应从存储装置3000传送至主机装置2000。总线10中的双向数据线可以将用于数据写入操作的写入数据从主机装置2000传送至存储装置3000。总线10中的双向数据线还可以将用于数据读取操作的读取数据从存储装置3〇〇〇传送至主机装置2000。总线10中的数据选通线可以将数据选通信号从存储装置3000传送至主机装置2000。例如,数据选通信号可以是与从存储装置3000传送至主机装置2000的数据同步的时钟信号。主机装置2000可以通过总线10中的复位线将硬件复位信号传送至存储装置3000。[0061]参见图3,任务队列260可以包括任务管理器262、任务存储器264和状态存储器266。[0062]任务管理器262构造为管理任务存储器264和状态存储器266。例如,如果主机装置2000传输诸如后面将要描述的任务设置命令CMD44和任务地址命令CMD45的特定命令,则任务管理器262可以将由命令表示的任务存储在任务存储器264中。要存储在任务存储器264中的任务可以由主机装置2000发出,而不管数据总线的空闲、传送、接收或忙碌状态。[0063]任务管理器262可将每个存储的任务的状态存储在状态存储器266中。任务管理器262可以有效地管理在主机装置2000和存储装置3000之间传输的任务。任务管理器262可以根据主机装置2000的请求或主动地忽视主机装置2000的请求来将准备好执行的任务或就绪任务的信息提供给主机装置2〇〇〇。[0064]任务管理器262可以管理存储在任务存储器264中的多个至少两个任务的准备或并行处理。对于存储在任务存储器264中的任务,任务管理器262可以启用并行处理。例如,任务管理器262可以针对尚未完成的任务执行数据处理所需的操作或者使用非易失性存储器装置100的交错操作(interleavingoperation来准备数据。因此,可以提高改善)存储装置3000的性能例如,写入或读取操作性能)。[0065]如图3所示,任务存储器264可以包括多个任务寄存器CRG1至CRGN,其中N是指示任务寄存器CRG1至CRGN的数量的大小的自然数。N可以称为多队列深度(multi-queuedepth〇[0066]存储装置3000可以存储与多队列深度N相对应的多达N个任务的任务。例如,任务寄存器CRG1至CRGN的每一个可以存储包括任务ID、传输方向信息、数据大小信息和起始地址的任务信息。任务信息还可以包括优先级信息。如下所述,任务信息可以作为参数包含在从主机装置2000传送至存储装置3000的命令中。[0067]任务管理器262可以基于优先级信息和或传输方向信息来控制任务执行的顺序。例如,任务管理器262可以控制任务执行的顺序,使得具有较高优先级的任务在具有较低优先级的另一任务之前执行,或者使得读取任务在写入任务之前执行。[0068]如图3所示,状态存储器266可以包括多个状态寄存器RRG1至RRGN。状态寄存器RRG1至RRGN的每一个分别存储存储在任务寄存器CRG1至CRGN中的任务的状态信息。[0069]任务管理器262可以管理存储任务的任务寄存器CRG1至CRGNg卩,被占用的任务寄存器)。在完成了执行存储在相应任务寄存器CRGii=l至N中的任务所需的内部操作之后,任务管理器262可以用“就绪”信息来更新状态寄存器RRGi。[0070]例如,状态寄存器RRG1至RRGN存储N位状态信息。存储在状态寄存器RRG1至RRGN中的第一位至第N位分别指示存储在各个第一任务寄存器CRG1至第N任务寄存器CRGN中的任务为了方便起见,本文称为第一任务至第N任务的状态。例如,存储在状态寄存器RRG1至RRGN中的第一位例如,最低有效位LSB指示第一任务是否准备好被执行在下文中称为“就绪”状态还是未准备好被执行在下文中称为“未就绪”状态)。第N位例如,最高有效位MSB指示第N个任务是否处于就绪状态还是未就绪状态。[0071]例如,存储在状态寄存器RRG1至RRGN中的初始值可以全部为“0”。当第一任务至第N任务之一处于就绪状态时,与该任务相对应的状态寄存器中的位变为“1”。任务管理器262检查存储在任务寄存器CRG1至CRGN中的每个任务的状态,并更新状态寄存器中的相应的位。[0072]虽然上述实施例提供了将状态寄存器中的单个位映射到每个任务,但是应当理解,在不脱离本教导的范围的情况下,在其他实施例中可以将两个或更多位映射到每个任务。换句话说,每个任务的状态可以由多个即,至少两个位来表示。例如,可以为每个任务分配两位,使得该任务可以表达为例如空闲、忙碌、就绪和错误状态的四种状态之一。类似地,针对每个任务的状态的位数可以扩展到三个或更多个。[0073]虽然示出了使用图3中的任务寄存器CRG1至CRGN和状态寄存器RRG1至RRGN来实现任务存储器264和状态存储器266,但是任务存储器264和状态存储器266不限于这些构造。例如,可替代地,可以使用队列或插槽来实现任务存储器264,或可以实现为诸如静态随机存取存储器SRAM或动态随机存取存储器DRAM的存储器。从主机装置2000接收到的任务可以顺序地存储在任务存储器264中,但是可以按照与存储任务的顺序不同的顺序来执行任务。例如,可以根据任务的优先级而不是存储任务的时间来分别确定执行任务的顺序。[0074]图4是用于描述根据图2的系统的命令排队的写入操作和读取操作的流程图。图5是示出在图2的系统中使用的命令的示例格式的示图。图6是示出在图2的系统中使用的命令的示例定义的示图。图7是示出图6的命令定义中的任务管理操作码的示例的示图。[0075]预先参见图5,所有命令的固定码长为48位,在52MHz下需要0•92微秒的传送时间。命令始终以起始位始终为“0”)开始,后面是指示传送方向的位主机=“H。接下来的6位指示了命令的索引,该值被解释为二进制编码数〇到63之间)。一些命令需要一个按32位编码的参数例如,地址)。在图5中,由“x”表示的值指示二进制编码数的变量值,该变量值在根据携带值“〇”或“1”的位的数量(宽度而变化的范围内,并且该变量取决于命令。所有命令都受到CRC保护,在图5中,CRC保护由CRC7提供。每个命令码字由结束位始终为“1”)终止。图6中示出了由JESD84-B51规定的一些命令。每个命令从主机装置2000发出到存储装置3000。[0076]参见图2至图7,在图4的操作SI10中,主机装置2000将包括任务设置命令CMD44和任务地址命令CMD45的第一排队命令作为第一任务TSK1传送至存储装置3〇00。即使在通过数据总线传送之前的数据的同时,主机装置2000也可以将任务设置命令CMD44和任务地址命令CMD45传送至存储装置3〇〇〇。数据总线可以是图2中的总线10的一部分。[0077]任务设置命令CMD44是用于设置任务的ID和任务的操作方向(方向信息W的命令。操作方向是数据传输方向。例如,任务设置命$CMD44可以包括诸如32位参数的参数中的任务ID、数据方向DD和大小信息。数据方向可以指示数据传输方向。大小信息(即,块数可以指定要写入闪速存储器的数据的大小或者要从闪速存储器读取的数据的大小。[0078]在一些实施例中,在任务设置命令CMD44的32位参数中,低16位[15:0]可以用块数表示数据大小。接下来的低5位[20:16]可以表示任务ID。位[23]可以表示优先级,位[30]可以表示数据方向DD。这里,块是具有预定大小的数据单元,并且可以是闪速存储器的一页或多个页,然而本公开的块不限于这些示例。[0079]例如,位[30]设置为“0”指示当前任务是用于在存储装置3000中存储数据的写入任务。位[30]设置为“1”指示当前任务是用于从存储装置3000读取数据的读取任务。在各种实施例中,通过在一个命令CMD44的参数中的不同设置来识别写入任务和读取任务。然而,在其他实施例中,可以分开地定义用于写入任务的命令和用于读取任务的命令。此外,在各种实施例中,使用一位来表示优先级,即优先级位[23]。然而,在其他实施例中,可以使用两个或更多位来表示优先级。[0080]任务地址命令CMD45可以包括指示与当前任务相对应的数据的起始地址的起始地址信息例如,数据块地址)。起始地址可以是逻辑地址。例如,当任务是写入任务时,起始地址信息指定要写入非易失性存储器装置1〇〇的数据的起始地址。当任务是读取任务时,起始地址信息指定要从非易失性存储器装置1〇〇读取的数据的起始地址。例如,当任务是读取任务时,起始地址为“100”,数据大小为“10”,该任务包括从地址“100”开始读取10个数据块。[0081]虽然在实施例中,包括起始地址信息的任务地址命令CMD45与任务设置命令CMD44被分开地定义,但是应当理解,在替代实施例中,数据大小信息和起始地址信息可以一起包括在一个命令或另一命令中,例如,包括在任务设置命令CMD44中。[0082]存储装置3000可以从主机装置2000接收命令,并且通过任务ID将任务信息存储在任务寄存器CRG1至CRGN中。例如,存储装置3000从主机装置2〇〇〇接收第一任务TSK1的任务设置命令CMD44,并将关于第一任务TSK1的任务信息存储在任务存储器264中的任务寄存器CRG1至CRGN之一例如,第一任务寄存器CRG1中。从主机装置2000接收到的命令可以顺序地存储在任务寄存器CRG1至CRGN中,但是不一定要按照已经存储命令的顺序执行任务。例如,可以根据任务各自的优先级来确定任务的执行顺序。[0083]存储装置3000还可以从主机装置2000接收针对第一任务TSK1的任务地址命令CMD45。存储装置3000可以将起始地址信息存储在与第一任务TSK1相对应的任务寄存器例如,第一任务寄存器CRG1中。在操作S120中,主机装置2000将包括用于另一任务(即,第二任务TSK2的任务设置命令CMD44和任务地址命令CMD45的第二排队命令传送至存储装置3000。在响应于第一任务TSK1向存储装置3000传送和或从存储装置3〇〇〇接收数据之前,可以发送用于第二任务的任务设置命令CMD44和任务地址命令CMD45。存储装置3000可以从主机装置2000接收用于第二任务TSK2的任务设置命令CMD44,并且将关于第二任务TSK2的任务信息存储在任务存储器264中的任务寄存器CRG1至CRGN中的另一个例如,第二任务寄存器CRG2中。存储装置3000还可以从主机装置2〇〇〇接收用于第二任务TSK2的任务地址命令CMD45,并将起始地址信息存储在对应于第二任务TSK2的任务寄存器例如,第二任务寄存器CRG2中。在图4所示的实施例中,第一任务TSK1是写入任务,第二任务TSK2是读取任务,但是本文描述的构思和任务不限于该实现。[0084]此后,在操作S130中,主机装置2000将用于检查状态寄存器RRG1至RRGN中的状态的状态检查命令发送至存储装置3000。状态检查命令定义为检查存储在任务寄存器CRG1至CRGN的每一个中的任务的就绪状态。如图4所示,主机装置2000可以使用CMD13作为状态检查命令。例如,可以将CMD13的参数中的预定位例如,位[15]设置为T,以使用CMD13作为状态检查命令。[0085]在操作S140中,响应于状态检查命令CMD13,存储装置3000将包括状态存储器266中的值的状态响应消息RES发送至主机装置2000。主机装置2000在状态响应消息RES中检测已准备好执行的任务的ID。状态响应消息RES可以包括状态存储器266即,状态寄存器RRG1至RRGN的32位值的参数。在状态寄存器RRG1至RRGN的32位值中,值“1”可以指示就绪任务。主机装置2000可以在状态寄存器RRG1至RRGN的各个位中识别与值“1”相对应的任务。[0086]一旦主机装置2000从在操作S140中接收到的状态响应消息RES确认第一任务TSK1已就绪,则在操作S150中,主机装置2000将针对第一任务TSK1的诸如写入执行命令CMD47的执行命令发送至存储装置3000。在操作S160中,主机装置2000将与第一任务TSK1相关的写入数据WDT传送至存储装置3000。响应于写入执行命令CMD47,存储装置3000接收写入数据WDT并将其存储在缓冲存储器240中。存储装置3000还将编程命令发送至非易失性存储器装置1〇〇,使得存储在缓冲存储器240中的写入数据WDT被编程到非易失性存储器100中。[0087]为了检查状态寄存器RRG1至RRGN的状态,主机装置2000可以周期性地或不定期地将状态检查命令CMD13发送至存储装置3000。例如,在操作S170中,主机装置2000将状态检查命令CMD13发送至存储装置3000。响应于在操作S170处的状态检查命令CMD13,在操作S180中,存储装置3000将包括状态寄存器RRG1至RRGN的值的状态响应消息RES发送至主机装置2000。[0088]—旦主机装置2000从在操作S180中接收到的状态响应消息RES确认第二任务TSK2已就绪,则在操作S190中,主机装置2000将针对第二任务TSK2的诸如读取执行命令CMD46的另一执行命令发送至存储装置3000。响应于读取执行命令CMD46,在操作S200中,存储装置3000将与第二任务TSK2相关的读取数据RDT传送至主机装置2000。[0089]参见图6,其他说明性执行命令包括用于管理任务的任务管理命令CMD48。如上所述,状态检查命令CMD13用于检查状态寄存器中的状态。任务管理命令CMD48定义为管理或控制任务存储器264中存储的任务。任务管理命令CMD48可以取消特定任务或所有任务。任务管理命令CMD48也可用于重新执行S卩,重试特定任务。[0090]任务管理命令CMD48可以包括参数中的任务ID和任务管理代码,例如TM操作码。可以为TM操作码分配位[3:0],但是位排列和TM操作码不限于此。[0091]参见图7,当TM操作码设置为“lh”时,取消或丢弃存储在任务存储器264中的所有任务。当TM操作码被设置为“2h”时,仅丢弃存储在任务存储器264中的所有任务中的特定任务例如,与任务管理命令CMD4S中包括的任务ID相对应的任务)JM操作码的其他值在图7所示的实施例中被保留,但是可以将每个值定义为指定特定的管理操作。因此,任务官理命令CMD48可用于管理或控制至少一个任务,例如重新执行特定任务或改变任务的优先级。[0092]命令CMD44和CMD45可以配对用于单个任务、在不管数据传输的情况下发出到存储装置3000、并且存储在任务存储器264中。当在存储在任务存储器264中的任务中就绪的任务是读取任务时,可以指定该任务,并且可以使用CMD46执行读取操作。当在存储在任务存储器264中的任务中就绪的任务是写入任务时,可以指定该任务,并且可以使用CMD47执行写入操作。[0093]图8是示出根据示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图。[0094]如参考图2至图7描述的那样,可以在主机装置2000和存储装置3000之间执行信号传输,在下文中,会省略重复的说明。存储装置3〇〇〇的固件FW和主机接口IF的每一个可以分别包括用于存储任务的请求队列。在下文中,将固件的队列称为固件队列FWQ。主机接口IF的队列与上述任务队列TQ相对应。例如,固件队列FWQ可以是存储装置3000中的存储区域的一部分。任务队列TQ可以用如上所述的任务寄存器来实现。[0095]图8示出了存储装置3000中的处理器210所执行的固件对写入任务是否准备好被执行进行确定的示例性实施例。[0096]参见图8,主机装置2000将写入任务WTSK传输至存储装置3000S211。然后,存储装置3000的主机接口IF存储写入任务WTSK,并将写入任务WTSK传输至固件FWS212。如上所述,写入任务WTSK可以通过命令CMD44和CMD45从主机装置2000传输至存储装置3000。[0097]如果主机接口IF将写入任务WTSK传输至固件FW,则固件FW可以将写入任务WTSK存储在固件队列FWQENQ中。这样,主机接口IF的任务队列TQ可以将写入任务WTSK传输至处理器210,由处理器210执行的固件FW可以将写入任务FTSK存储在固件队列FWQ中。[0098]主机装置2000将状态检查命令CMD13传送至存储装置3000S213。主机接口IF将指示写入任务WTSK是否准备好被执行的状态响应消息RES传输至主机装置2000S214。当写入任务WTSK尚未准备好被执行时,状态响应消息RES可以指示写入任务WTSK的未就绪状〇[0099]当写入任务WTSK准备好被执行时,固件FW执行任务就绪升级TRU,并将就绪状态通知RDN传输至主机接口IFS215。主机接口IF升级任务队列TQ中的状态信息。[0100]此后,根据示例性实施例,固件FW执行数据备份操作DBKU。数据备份操作将风险数据存储在存储装置3000的备份区域中。风险数据是在存储于存储装置3000的存储区域中的数据当中通过执行写入任务而可能或确定被损坏的数据。后面将参考图9至图14描述数据备份操作。[0101]主机装置2〇〇〇将状态检查命令CMD13再次传送至存储装置3000S216。然后主机接口IF将指示写入任务WTSK的状态的状态响应消息RES再次发送至主机装置2000S217。这样,主机装置2000可以将状态检查命令CMD13重复发送至存储装置3000,直到主机装置2000接收到通知写入任务WTSK准备好被执行的就绪通知。[0102]在S217接收到响应就绪通知)后,主机装置2000将写入执行命令CMD47传送至存储装置3000S218。通过主机接口IF将写入执行命令CMD47传输至固件FWS219,并且固件FW在完成数据备份操作DBKU之后执行写入操作WREXE。[0103]当写入操作WREXE完成时,固件FW发出忙碌清除通知BSCS220。然后通过主机接口IF将忙碌清除通知BSC传输至主机装置2000S221。[0104]如上所述,由处理器210执行的固件FW可以确定写入任务WTSK是否准备好被执行。当写入任务町部准备好被执行时,固件FW可以通知写入任务WTSK的就绪状态,然后执行内部管理操作,即数据备份操作。响应于来自固件押的就绪状态通知RDN即,基于S215或与S215相关联),任务队列TQ可以更新写入任务WTSK的状态信息。[0105]存储装置3000对在S218来自主机装置2000的写入执行命令CMD47的响应时间RSa可以定义为在S218由主机装置2000发出写入执行命令CMD47到在S2M主机装置2000接收到忙碌清除通知BSC之间的时间间隔。[0106]这样,根据本公开的示例性实施例的存储装置、系统和相关方法可以减少存储装置对写入执行命令的响应时间。结果,在接收到写入执行命令之前,通过在排队阶段和就绪阶段期间执行诸如数据备份操作的内部管理操作来提高系统的性能。_[0107]图9是示出图2的存储装置中包括的非易失性存储器单元阵列的示例的电路图。[0108]参见图9,存储器单元阵列110可以包括串选择晶体管SST、接地选择晶体管GST和多个存储器单元MC2。串选择晶体管SST可以连接至位线BL1、……、BLm,接地选择晶体管GST可以连接至公共源极线CSL。存储器单元MC2可以串联连接在串选择晶体管SST和接地选择晶体管GST之间。同一行中的存储器单元可以连接至字线WL1、……、WLn中的同一字线。例如,可以在串选择线SSL和接地选择线GSL之间设置16条字线、32条字线或e4条字线。[0109]串选择晶体管SST可以连接至串选择线SSL,并且可以由串选择线SSL上的电压来控制。接地选择晶体管GST可以连接至接地选择线GSL,并且可以由接地选择线GSL上的电压来控制。存储器单元MC2可以由字线WL1,.••,WLn上的电压来控制。在包括存储器单元阵列100的NAND闪速存储器装置中,可以每个页111执行读取操作和编程操作,并且可以每个块112执行擦除操作。在编程操作期间,具有大约0伏电平的体电压可以施加到NAND闪速存储器装置的体衬底上。[0110]图2中的存储装置3000中包括的非易失性存储器装置不限于图9的构造。非易失性存储器装置可以具有各种构造,诸如N0R型NAND闪速存储器、三维或垂直NAND闪速存储器等。[0111]图10是用于描述正常执行写入操作时多电平单元的状态的变化的示图。[0112]作为示例,图10示出了根据2位编程的多电平单元的阈值电压的分布。在下文中,假设由闪速存储器装置编程的第一编程页是在最低有效位LSB编程操作期间编程的LSB页。此外,假设由闪速存储器装置在第一编程页之后编程的第二编程页是在最高有效位MSB编程操作期间编程的MSB页。因此,在图10的曲线中,横轴指示阈值电压,纵轴指示单元数。[0113]参见图10,如第一曲线G11所示,在执行编程操作之前,连接到所选字线的单元的阈值电压分布处于擦除状态E0。此后,当对连接到所选字线的单元执行LSB编程操作时,如第二曲线G12所示,阈值电压分布从擦除状态E0转换到LSB编程状态p〇。可以使用一个读取电压VR0读出两个状态E0和p〇。此后,如第三曲线G13所示,当对所选字线执行MSB编程操作时,阈值电压分布从擦除状态E0转换到编程状态?1,并且从LSB编程状态即转换到编程状态P2和P3。当LSB页和MSB页被完全编程到所选字线时,连接到所选字线的单元具有四个阈值电压分布。可以使用三个读取电压VR1、VR2和VR3读出四个状态E0、P1、P2和P3。[0114]图11是用于描述在多电平单元的最低有效位页的写入操作期间发生突然断电即,当供电突然停止时)的情况的示图。图12是用于描述在最低有效位页的写入操作期间发生突然断电时多电平单元的状态的变化的示图。[0115]如果在编程操作期间发生诸如突然断电(SP0的异常情况,则存储器单元可能没有被正确地编程到目标状态,并且阈值电压的分布会失真。在这种情况下,会引起读取错误,使得与存储器单元的目标状态不同的状态被读出。因此,需要在存储器装置中验证编程结果并校正任何错误。[0116]参见图11,例如,对应于两页的数据可以存储在写入存储器块WMB中的字线WL1至WL7的每一个中。图11示出了对6页PG1至PG6执行了编程操作的示例,页PG1至PG6的编号指示编程顺序。例如,第二字线WL2的MSB页PG5的编程在多电平单元MLC编程序列中位于第五位。接下来是第四字线WL4的LSB页PG6的编程,S卩MLC编程序列中的第六位。这样,在较高位字线和较低位字线之间交替地执行LSB编程操作和MSB页操作。编程偏移是预定的,并且根据编程偏移执行MLC编程操作。当根据编程偏移执行MLC编程操作时,相邻字线之间的干扰和耦合效应可以最小化。参见图11,在字线WL4的LSB页PG6被编程的同时发生突然断电SP0。当发生突然断电时,供电突然断开,组成存储器单元的编程可能在完成之前被中断。结果,连接到经历突然断电的最后编程的字线的最后编程的存储器单元的阈值电压分布可能不能被正确地设置在擦除状态和或编程状态中的任何一个状态。相反,最后编程的存储器单元中的至少一些可以被设置在软错误编程状态。[0117]参见图11和图12,在执行如图12的第一曲线G21所示的编程操作之前,所选择的字线(即,经历突然断电的第四字线WL4的存储器单元的阈值电压分布处于擦除状态E0。在第二曲线G22中示出了当所选字线WL4上的LSB编程操作由于突然断电而中断时,连接到所选字线WL4的存储器单元的阈值电压分布。如图12中的第二曲线G22所示,连接到所选字线WL4的存储器单元的阈值电压分布由于编程中断而处于软编程状态SP0。由于在编程完成之前发生突然断电,因此主机装置2000可以在供电恢复之后重试第六页PG6的中断的编程。[0118]图13是用于描述在多电平单元的最高有效位页的写入操作期间发生突然断电的情况的示图。图14是用于描述在最高有效位页的写入操作期间发生突然断电时多电平单元的状态的变化的示图。[0119]图13示出了对9页PG1至PG9执行了编程操作的示例,页PG1至PG9的编号指示编程顺序。另外,图13示出了当对字线WL4的MSB页PG9进行编程时发生突然断电的示例。[0120]参见图13和图14,在执行如图14的第一曲线G31所示的编程操作之前,所选字线即,经历突然断电的第四字线WL4的存储器单元的阈值电压分布处于擦除状态E0。当执行所选字线WL4上的LSB编程操作时,如图14中的第二曲线G32所示,阈值电压分布从擦除状态E0转换到编程状态P0。在图14的第三曲线G33中示出了,当所选字线WL4上的MSB编程操作由于突然断电而中断时,连接到所选字线WL4的存储器单元的阈值电压分布。如第三曲线G33所示,连接到所选字线WL4的存储器单元的阈值电压分布由于编程中断而处于软编程状态SP1、SP2和SP3。由于在编程完成之前发生突然断电,因此主机装置2000可以在供电恢复之后重试第九页PG9的中断的编程。[0121]在下文中,将参考图11和图13进一步描述图8的数据备份操作DBKU。数据备份操作指示将风险数据存储在存储装置3000的备份区域即,备份存储器块BM®中。风险数据是在存储于存储装置的存储区域(即,写入存储器块丽的中的数据当中通过执行写入任务而可能或确定被损坏的数据。可以以本文所述的方式自动执行风险数据的识别和处理。[0122]参见图11和图13,与之前数据备份操作的数据相对应的备份页BPGUBPG2可以已经存储在备份存储器块BMB中。每当执行写入操作时,之前的备份页可被丢弃或无效,并且新的备份页可以被存储在备份存储器块BMB中。[0123]如图11所示,如果在对与LSB页对应的第六页PG6编程期间发生突然断电,则主机装置2000可以确定编程未完成,并且在供电恢复之后请求存储装置3〇〇〇重试第六页PG6的编程。在这种情况下,存储装置3〇〇〇的固件FW可以确定没有风险数据。换句话说,当对多电平单元的LSB页执行写入任务时,固件FW可以肯定地不执行数据备份操作。[0124]因为新数据处于上述的软编程状态,所以新数据不能被编程在第四字线WL4的存储器单元中。存储在第三字线WL3中的第四页PG4具有受到影响的可能性(即,通过第四页PG4的编程)。因此,可以将第四页PG4的数据移动并存储在写入存储器块WMB的另一部分中。在这种情况下,当存储区域存在存储数据中的错误或者错误的可能性时,可以执行伪写入操作以将伪数据写入存储装置3〇〇〇的存储区域即,第三字线WL3和或第四字线WL4。[0125]如图13所示,如果在与MSB页对应的第九页PG9的编程期间发生突然断电,则主机装置2000可以确定编程未完成,并且在供电恢复之后请求存储装置3000重试第九页PG9的编程。然而,与第四字线WL4的LSB页对应的第六页PG6处于软编程状态SP1、SP2和SP3,因此不能被校正。在执行第九页PG9的编程之前,可以将通过执行写入任务而损坏或容易受到执行写入任务影响的第六页PG6作为备份数据BPG3存储在备份存储器块BMB中。此外,存储在相邻字线WL5中的第八页PG8被确定为会受到写入任务的损坏,并且第八页PG8可以作为备份数据BPG4存储在备份存储器块BMB中。这样,风险数据可以包括在执行写入任务之前存储了数据的至少一页。存储装置3000可以在供电恢复之后确定风险数据PG6和PG8是否被损坏。如果确定风险数据PG6和PG8被损坏,则主机装置2000可以基于存储在备份区域(g卩,备份存储器块BMB中的备份数据BPG3和BPG4来恢复风险数据PG6和PG8。此外,如上所述,当存储区域存在存储数据中的错误或者错误的可能性时,可以执行伪写入操作以将伪数据写入存储装置3000的存储区域S卩,第四字线WL4和或第五字线WL5。[0126]如图11和图13所示,执行写入数据的写入任务或写入数据的编程的存储区域即,写入存储器块WMB可以包括多电平单元,使得两个或更多位存储在每个多电平单元中。备份区域(即,执行数据备份操作的备份存储器块BMB可以包括单电平单元,使得每个单电平单元中存储一位。换句话说,LSB页和MSB页可以存储在写入存储器块WMB的每个字线中,而只有一页可以存储在备份存储器块BMB的每个字线中。通过使用单电平单元方案操作备份存储器块BMB,可以快速执行数据备份操作,并且可以防止系统的操作速度和性能的劣化。[0127]可以在接收到写入执行命令之前,在排队阶段和就绪阶段期间执行诸如数据备份操作和伪写入操作的内部管理操作。这种时间安排可以减少存储装置响应写入执行命令所需的时间,从而提高系统的性能。[0128]图15是示出在存储装置接收到写入执行命令之后执行内部管理操作的情况的流程图。[0129]图15中的操作或处理S311至8321、£_、了1^、081〇]和化1^乂£与图8中的操作或处理S211至S221、ENQ、TRU、DBKU和WREXE基本相同,因此省略了重复的描述。[0130]在图8中,固件FW在存储写入任务WTSK之后并且写入执行命令CMD47之前执行诸如数据备份操作DBKU的内部管理操作。相比之下,在图15中,在S319,固件FW在接收到写入执行命令CMD47后开始内部管理操作DBKU,在完成内部管理操作后执行写入任务WTSK。结果,图15的响应时间RSb从在S317首先发送CMD47到在S321确认完成)比根据示例性实施例的图8的响应时间RSa长。[0131]这样,可以在接收到写入执行命令之前,在排队阶段和就绪阶段期间执行诸如数据备份操作和伪写入操作的内部管理操作。这种时间安排可以减少存储装置响应写入执行命令所需的时间,从而提高系统的性能。[0132]图16是示出根据示例性实施例的操作存储装置的方法的另一流程图。[0133]图16示出了主机装置2000中的任务队列TQ确定写入任务是否准备好被执行的示例性实施例。[0134]图16中的操作或处理S411至S414、ENQ、DBKU和WREXE与图8中的操作或处理S211至S214、ENQ、DBKU和WREXE基本相同,因此省略了重复的描述。[0135]与图8中固件FW确定写入任务WTSK是否准备好被执行相比,在图16中,任务队列TQ确定写入任务ffTSK是否准备好被执行。也就是说,在S415接收到CMD47之前,存储装置3000的任务队列TQ确定写入任务WTSK是否准备好被执行,并且开始数据备份DBKU,并且例如不执行图8所示的任务就绪升级TRU或图8所示的发送就绪状态通知RDN。当写入任务WTSK准备好被执行时,任务队列TQ可以升级写入任务WTSK的状态信息,并且固件FW可以在将写入任务WTSK存储在固件队列FWQENQ之后执行诸如数据备份操作DBKU的内部管理操作。[0136]图17和图18是示出根据示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图。[0137]除了数据备份操作DBKU之外,图17中的操作或处理与图8中的操作基本相同,因此省略重复的描述。[0138]在图17的示例性实施例中,在将写入任务WTSK存储在固件队列FWQ中之后,固件FW可以执行作为上述内部管理操作的伪写入操作DMWR。如参考图11和图13所述,当存储区域存在存储数据中的错误或者错误的可能性时,伪写入操作DMWR将伪数据写入存储装置3000的存储区域。[0139]在图18的示例性实施例中,在将写入任务WTSK存储在固件队列FWQ中之后,固件FW可以执行作为上述内部管理操作的元数据的写入操作MTWR。元数据可以包括在执行固件FW时产生的寄存器数据和编程序列数据。此外,元数据可以包括由闪存转换层TFL管理的地址映射数据、坏块数据等。元数据可以存储在存储装置3〇〇〇中的缓冲存储器240或非易失性存储器装置1〇〇中。[0140]图19是示出根据示例性实施例的移动装置的框图。[0141]参见图19,移动装置4000可以包括应用处理器4100、通信模块4200、显示触摸模块4300、存储装置4400和缓冲RAM45〇0。[0142]应用处理器4100控制移动装置4000的操作。通信模块4200实现为执行与外部装置的无线或有线通信。显示触摸模块4300实现为显示由应用处理器4100处理的数据和或通过触摸面板接收数据。存储装置4400实现为存储用户数据。存储装置4400可以是eMMC、SSD、UFS装置等。存储装置4400可以包括本文公开的非易失性存储器装置。存储装置4400可以具有如上所述在接收到写入执行命令之前执行内部管理操作的构造。[0143]缓冲RAM45〇0临时存储用于移动装置4000的处理操作的数据。例如,缓冲RAM4500可以是DDRSDRAM、LPDDRSDRAM、GDDRSDRAM、RDRAM等。[0144]如上所述,根据示例性实施例的存储装置、系统和相关方法可以在接收到写入执行命令之前,通过在排队阶段和就绪阶段预先执行诸如数据备份操作的内部管理操作来减少存储装置对于写入执行命令的响应时间,并且提高系统的性能。[0145]本文描述的构思可以应用于包括存储装置的任何装置和系统。例如,本文提供的教导可以应用于诸如手机、智能电话、个人数字助理PDA、便携式多媒体播放器PMP、数字照相机、摄像机、个人计算机PC、服务器计算机、工作站、笔记本计算机、数字电视、机顶盒、便携式游戏机、导航系统等系统。[0146]以上是示例性实施例的示意,而不应解释为限制实施例。虽然已经描述了几个实施例,本领域技术人员应该容易地理解,在不很大地脱离本文描述的构思的情况下,实施例中的许多修改都是可以的。

权利要求:1.一种操作存储装置的方法,包括步骤:从主机装置接收写入任务;将所述写入任务存储在包括在所述存储装置中的任务队列中;从所述主机装置接收写入执行命令;响应于所述写入执行命令来执行所述写入任务;以及在将所述写入任务存储在所述任务队列中之后并且在接收到所述写入执行命令执行所述存储装置的内部管理操作。2.根据权利要求1所述的方法,其中,执行所述内部管理操作的步骤包括:执行数据备份操作以将风险数据存储在所述存储装置的备份区域中,所述风险数据#示在存储于所述存储装置的存储区域中的数据当中通过执行所述写入任务而要被损坏的数据。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述存储区域包括多个多电平单元,其中每个多电平单元存储多个位,并且所述风险数据包括在执行所述写入任务之前己经存储的至少一页数据。4.根据权利要求3所述的方法,其中,当关于最低有效位页执行写入任务时,不执行所述数据备份操作。5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述备份区域包括多个单电平单元,其中每个单电平单元存储一位。6.根据权利要求2所述的方法,还包括步骤:当所述风险数据被损坏时,基于存储在所述备份区域中的备份数据恢复所述风险数据。7.根据权利要求1所述的方法,还包括步骤:当存储装置准备好执行存储在所述任务队列中的写入任务时,发送告知所述主机装置准备好执行所述写入任务的就绪通知。8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述主机装置向所述存储装置重复地发送状态检查命令,直到所述主机装置接收到所述就绪通知为止。9.根据权利要求1所述的方法,其中,从所述主机装置备接收所述写入任务的步骤包括:接收写入设置命令,所述写入设置命令包括任务标识、指示数据传输方向的传输方向信息、指示写入数据的大小的数据大小信息和优先级信息;以及接收指示所述写入数据的地址的写入地址命令。10.根据权利要求1所述的方法,其中,执行所述内部管理操作的步骤包括:当所述存储装置的存储区域存在存储数据中的错误时或者当确定了错误的可能性时,执行伪写入操作以将伪数据写入所述存储区域。11.根据权利要求1所述的方法,其中,执行所述内部管理操作的步骤包括:写入用于控制所述存储装置的元数据。12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述存储装置是包括非易失性存储器装置的嵌入式多媒体卡。13.—种存储装置,包括:非易失性存储器装置;以及存储控制器,其构造为控制所述非易失性存储器装置,所述存储控制器包括:任务队列,其构造为存储从主机装置提供的写入任务和所述写入任务的状态信息;以及处理器,其构造为控制所述存储控制器,所述处理器在所述写入任务被存储在所述任务队列中之后并且在从所述主机装置接收到写入执行命令之前执行所述存储装置的内部管理操作。14.根据权利要求13所述的存储装置,其中,所述任务队列将所述写入任务传输至所述处理器,并且由所述处理器执行的固件将所述写入任务存储在固件队列中。15.根据权利要求14所述的存储装置,其中,所述固件确定所述写入任务是否准备好被执行,并且当确定所述写入任务准备好被执行时,所述固件向所述任务队列通知所述写入任务的就绪状态,然后执行所述内部管理操作,并且所述任务队列更新所述任务队列中的状态信息。16.根据权利要求14所述的存储装置,其中,所述任务队列确定所述写入任务是否准备好被执行,并且当确定所述写入任务准备好被执行时,所述任务队列更新状态信息,并且所述固件在所述写入任务被存储在所述固件队列中之后执行所述内部管理操作。17.根据权利要求14所述的存储装置,其中,所述内部管理操作包括数据备份操作以将风险数据存储在所述存储装置的备份区域中,所述风险数据表示在存储于所述存储装置的存储区域中的数据当中通过执行所述写入任务而要被损坏的数据。18.根据权利要求14所述的存储装置,其中,所述内部管理操作包括:当所述存储装置的存储区域存在存储数据中的错误或者错误的可能性时将伪数据写入所述存储区域的伪写入操作。19.根据权利要求14所述的存储装置,其中,所述内部管理操作包括用于控制所述存储装置的元数据的写入操作。20.—种系统,其包括:主机装置;以及嵌入式多媒体卡,由所述主机装置控制所述嵌入式多媒体卡,在从所述主机装置提供的写入任务被存储在包括在所述嵌入式多媒体卡中的任务队列中之后并且在从所述主机装置接收到写入执行命令之前,所述嵌入式多媒体卡执行嵌入式多媒体卡的内部管理操作。

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