申请/专利权人：应用材料股份有限公司

申请日：2019-09-18

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN112888986B

主分类号：G02B27/00

分类号：G02B27/00

优先权：["20181023 US 16/168,185"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2021.06.18#实质审查的生效;2021.06.01#公开

摘要：本公开提供一种光栅元件及其形成方法。所述方法可包括：提供基板，所述基板包括下伏层及设置于所述下伏层上的硬遮罩层。所述方法可包括：将所述硬遮罩层图案化以界定光栅场；以及在所述光栅场内蚀刻所述下伏层，以沿第一方向界定所述下伏层的可变高度，所述第一方向平行于所述基板的平面。所述方法可包括使用成角离子蚀刻在所述光栅场内形成光栅，所述光栅包括多个成角结构，所述多个成角结构相对于所述基板的所述平面的垂直线以非零度的倾角设置，其中所述多个成角结构基于所述下伏层的所述可变高度沿所述第一方向界定可变深度。

主权项：1.一种形成光栅元件的方法，包括：在基板上提供下伏层；在所述下伏层上提供硬遮罩层；图案化所述硬遮罩层以形成界定光栅场的边界的开口；通过所述硬遮罩层的所述开口在所述光栅场内蚀刻所述下伏层，以沿第一方向界定所述下伏层的可变高度，所述第一方向平行于所述基板的平面；在蚀刻所述下伏层之后，将蚀刻终止层涂布至所述下伏层；在所述蚀刻终止层上及所述硬遮罩层上沉积回填材料层；将所述回填材料层平坦化以形成回填层，其中所述回填层的顶表面与所述硬遮罩层的顶表面共面；以及通过使用相对于所述基板的所述平面的垂直线以非零度的倾角递送的成角离子蚀刻在所述回填层内形成包括多个成角结构的光栅，其中所述多个成角结构基于所述下伏层的所述可变高度沿所述第一方向界定可变深度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料股份有限公司 光栅元件及其形成方法

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