申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-09-27

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN110957356B

主分类号：H01L29/417

分类号：H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336

优先权：["20180927 US 62/737,664","20190912 US 16/568,622"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.03#公开

摘要：一种半导体装置制造方法，包括蚀刻通孔通过介电层和蚀刻停止层ESL到源极漏极接点、在源极漏极接点的顶表面中形成凹陷，使得源极漏极接点的顶表面是凹的、以及在通孔的侧壁上形成氧化物衬垫。氧化物衬垫捕捉藉由蚀刻通过介电层和蚀刻停止层的通孔所留下的杂质，其中蚀刻步骤、形成凹陷的步骤以及形成氧化物衬垫的步骤在第一腔室中执行。半导体装置制造方法更包括执行移除氧化物衬垫的预清洗和在通孔中沉积金属。

主权项：1.一种半导体装置制造方法，包括：形成通过在一源极漏极接点上的一介电层的一通孔；通过上述通孔形成一凹陷，以形成上述源极漏极接点的一弯曲顶表面；在上述通孔的一侧壁上形成一氧化物衬垫，其中上述氧化物衬垫捕捉形成上述通孔所留下的杂质；以及移除上述氧化物衬垫，其中移除上述氧化物衬垫暴露上述通孔的上述侧壁的至少一部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置制造方法和半导体装置

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