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【发明授权】反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法_长鑫存储技术有限公司_202310153953.0 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2023-02-23

公开(公告)日:2023-05-23

公开(公告)号:CN115910990B

主分类号:H01L23/525

分类号:H01L23/525;H10B12/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.23#授权;2023.04.21#实质审查的生效;2023.04.04#公开

摘要:本公开提供一种反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法,反熔丝结构包括位线结构及与位线结构电连接的选通结构;选通结构包括依次叠置的可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构,可变电阻结构与位线结构相邻,可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构的叠置方向与位线结构的厚度方向相交。本实施例的反熔丝结构直接在位线结构中间形成选通结构,且选通结构的叠置方向与厚度方向相交,相较于三者在厚度方向依次叠置,能够在确保反熔丝结构性能不减小的情况下,减小反熔丝结构的厚度并满足多种不同应用场景的实际需求。

主权项:1.一种反熔丝结构,其特征在于,包括位线结构及与所述位线结构电连接的选通结构;所述选通结构包括依次叠置的可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构,所述可变电阻结构与所述位线结构相邻,所述可变电阻结构、所述阈值选通结构及所述字线结构的叠置方向与所述位线结构的厚度方向相交,所述阈值选通结构的顶面高于所述可变电阻结构的顶面;所述阈值选通结构的底面高于所述可变电阻结构的底面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法

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