申请/专利权人：洛阳理工学院

申请日：2022-04-29

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN114685170B

主分类号：C04B35/573

分类号：C04B35/573;C04B35/622;C04B35/64

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2022.07.19#实质审查的生效;2022.07.01#公开

摘要：本发明涉及一种微波闪烧合成碳化硅的方法，首先，将硅源和碳源均匀混合，之后，将得到的混合粉体直接置于微波烧结炉中进行微波烧成，或者，将混合后的粉体先进行预成型，之后再置于微波烧结炉中进行微波烧成；微波烧成的过程包括：将微波烧结炉的输入功率升至3KW以上，温度迅速上升到设定温度后，不保温，立即结束烧制，完成微波烧成，合成碳化硅；所述的设定温度不小于600℃。本发明借助微波加热快速、节约能源且保护环境的优势，将硅源和碳源混合后直接在高微波输入功率下一分钟内实现碳化硅的合成，效率极高，且通过本发明方法可制得纯度高的α‑SiC。

主权项：1.微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将硅源、碳源均匀混合，碳硅摩尔比为（1~3）：1，硅源包括硅粉、正硅酸乙酯、石英砂、白炭黑、硅溶胶中的一种或多种，碳源包括工业煤、石墨、活性炭、石油焦中的一种或多种；（2）将混合后的粉体直接置于微波烧结炉中进行微波烧成，或者，将混合后的粉体先进行预成型，之后再置于微波烧结炉中进行微波烧成；微波烧成的过程包括：微波烧结炉的输入功率为5~6kW，加热频率为2450MHz，温度迅速上升到800~900℃后，不保温，立即结束烧制，完成微波烧成，得到具有六方结构的α-SiC；或者，微波烧结炉的输入功率为7kW，加热频率为915MHz，温度迅速上升到1000℃后，不保温，立即结束烧制，完成微波烧成，得到具有六方结构的α-SiC。

全文数据：

权利要求：

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