申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-09-25

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN110970489B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78

优先权：["20180928 US 62/738,881","20190701 US 16/458,437"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.07#公开

摘要：本公开涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍，在第一鳍上方并且沿着第一鳍的侧壁形成第一栅极堆叠，沿着第一栅极堆叠的侧壁形成第一间隔件，第一间隔件包括第一碳氧化硅组合物，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件，第二间隔件包括第二碳氧化硅组合物，沿着第二间隔件的侧壁形成第三间隔件，第三间隔件包括氮化硅，以及在第一鳍中并且与第三间隔件相邻形成第一外延源极漏极区域。

主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一鳍和第二鳍；在所述第一鳍上方形成第一虚设栅极结构并且在所述第二鳍上方形成第二虚设栅极结构；在所述第一鳍上、所述第二鳍上、所述第一虚设栅极结构上以及所述第二虚设栅极结构上沉积第一层碳氧化硅材料；通过所述第一层碳氧化硅材料将杂质注入到所述第一鳍和所述第二鳍中；在注入杂质之后，在所述第一层碳氧化硅材料上方沉积第二层碳氧化硅材料；在沉积所述第二层碳氧化硅材料之后，对所述第一鳍和所述第二鳍执行第一湿法清洁工艺；在所述第二鳍和所述第二虚设栅极结构上方形成第一掩模；凹陷与所述第一虚设栅极结构相邻的所述第一鳍，以在所述第一鳍中形成第一凹槽；在凹陷所述第一鳍之后，对所述第一鳍和所述第二鳍执行第二湿法清洁工艺；在所述第一鳍和所述第一虚设栅极结构上方形成第二掩模；凹陷与所述第二虚设栅极结构相邻的所述第二鳍，以在所述第二鳍中形成第二凹槽；以及执行外延工艺以同时形成所述第一凹槽中的第一外延源极漏极区域和所述第二凹槽中的第二外延源极漏极区域，其中，所述第一外延源极漏极区域形成第一晶体管的组件，所述第二外延源极漏极区域形成第二晶体管的组件，并且其中，所述第一外延源极漏极区域和所述第二外延源极漏极区域具有相同的导电类型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件和形成半导体器件的方法

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